Bilin/Galaxy MicroelectronicsIRF 730

Name: Bilin/Galaxy Microelectronics IRF 730
Brand: Bilin/Galaxy Microelectronics
SKU: 801.023.0006
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

IRF730 N-Channel MOSFET 400V 5.5A 1.0 Ohm TO-220

Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!

Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 1,55 €

Περιγραφή
Χαρακτηριστικά
Σχετικά έγγραφα

Το IRF730 της Bilin / Galaxy Microelectronics είναι N-Channel MOSFET ισχύος υψηλής τάσης σε περίβλημα TO-220, με μέγιστη τάση Drain-Source 400V, συνεχές ρεύμα Drain έως 5.5A και μέγιστη αντίσταση RDS(on) 1.0 Ohm. Είναι κατάλληλο για εφαρμογές μεταγωγής και μετατροπής ισχύος όπου απαιτείται MOSFET κλάσης 400V.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF730 είναι enhancement-mode N-Channel power MOSFET σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής τάσης. Η μέγιστη τάση Drain-Source VDS είναι 400V και το συνεχές ρεύμα Drain ID φτάνει τα 5.5A υπό τις προβλεπόμενες θερμικές συνθήκες. Η μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on) είναι 1.0 Ohm με VGS=10V, ενώ η τάση κατωφλίου Gate VGS(th) βρίσκεται στην περιοχή 2V έως 4V. Η μέγιστη επιτρεπόμενη τάση Gate-Source είναι ±20V.

Το περίβλημα TO-220 είναι κατάλληλο για through-hole τοποθέτηση και επιτρέπει στερέωση σε ψύκτρα όταν απαιτείται από τη θερμική σχεδίαση. Η διάταξη ακροδεκτών, κοιτώντας την εμπρόσθια πλευρά του εξαρτήματος, είναι Gate - Drain - Source, ενώ το μεταλλικό tab συνδέεται ηλεκτρικά με το Drain. Το MOSFET διαθέτει ενσωματωμένη body diode, όπως είναι τυπικό σε αυτή την κατηγορία power MOSFET.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για switching power supplies, SMPS, DC-DC converters, inverter stages, high-voltage switching, relay και solenoid drivers, industrial power control, motor-control stages και γενικές εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος.

Βάρος συσκευασίας: 0,001kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,001kg

ΚατασκευαστήςBilin / Galaxy Microelectronics

ΜοντέλοIRF730

ΤύποςPower MOSFET

ΚανάλιN-Channel

Τρόπος λειτουργίαςEnhancement Mode

Μέγιστη τάση Drain-Source VDS400V

Συνεχές ρεύμα Drain IDέως 5.5A

Μέγιστη αντίσταση RDS(on)1.0 Ohm

Συνθήκη μέτρησης RDS(on)VGS=10V

Gate threshold voltage VGS(th)2V έως 4V

Μέγιστη τάση Gate-Source VGS±20V

Ενσωματωμένη body diodeΝαι

ΠερίβλημαTO-220 / TO-220AB

ΤοποθέτησηThrough-hole / THT

Αριθμός ακροδεκτών3

Pin 1Gate

Pin 2Drain

Pin 3Source

Μεταλλικό tabDrain

Κατάλληλο για τοποθέτηση σε ψύκτραΝαι

ΕφαρμογέςSMPS, DC-DC converters, inverters, high-voltage switching, relay/solenoid drivers, motor control

Σημείωση συμβατότητας

Για αντικατάσταση του IRF730 δεν αρκεί μόνο η αντιστοίχιση της τάσης VDS και του ρεύματος ID. Πρέπει να ελεγχθούν επίσης RDS(on), VGS(th), μέγιστο VGS, gate charge, input/output capacitance, switching times, Safe Operating Area, avalanche capability, θερμική αντίσταση, package και pinout. IRF730 διαφορετικού κατασκευαστή μπορεί να έχει διαφορετικά δυναμικά και θερμικά χαρακτηριστικά, ακόμη και όταν οι βασικές ονομαστικές τιμές είναι ίδιες.

Συχνές ερωτήσεις

Τι τύπος εξαρτήματος είναι το IRF730;
Είναι N-Channel enhancement-mode power MOSFET υψηλής τάσης.

Ποια είναι η μέγιστη τάση Drain-Source;
Η μέγιστη VDS είναι 400V.

Ποιο είναι το συνεχές ρεύμα Drain;
Έως 5.5A υπό τις θερμικές συνθήκες που ορίζονται για το εξάρτημα.

Ποια είναι η μέγιστη RDS(on);
1.0 Ohm με VGS=10V.

Φυλλάδια

Φύλλο χαρακτηριστικών (PDF)