STMicroelectronicsIRF 630

STMicroelectronics IRF630 N-Channel Power MOSFET 200V 9A TO-220, κατάλληλο για τροφοδοτικά switching, DC-DC converters, μετατροπείς ισχύος, κυκλώματα ελέγχου φορτίων, βιομηχανικά ηλεκτρονικά και γενικές εφαρμογές μεταγωγής.

Το IRF630 της STMicroelectronics είναι N-Channel Power MOSFET τεχνολογίας STripFET σε κέλυφος TO-220. Διαθέτει τάση Drain-Source 200V, συνεχές ρεύμα Drain 9A στους 25°C και αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.40 Ohm max με οδήγηση πύλης 10V. Το κέλυφος TO-220 επιτρέπει τοποθέτηση σε ψύκτρα για καλύτερη θερμική απαγωγή σε εφαρμογές ισχύος.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF630 είναι MOSFET ισχύος για εφαρμογές μεταγωγής, με χαμηλή χωρητικότητα εισόδου, μειωμένο gate charge και υψηλή αντοχή dv/dt. Η διάταξη ακροδεκτών είναι Gate στο pin 1, Drain στο pin 2 και στο μεταλλικό tab, και Source στο pin 3. Για πλήρη αγωγή απαιτείται κατάλληλη οδήγηση πύλης, συνήθως 10V.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε switching power supplies, DC-DC converters, industrial control circuits, drivers φορτίων, μετατροπείς τάσης, ηλεκτρονικά ισχύος, κυκλώματα PWM και γενικές εφαρμογές όπου απαιτείται N-Channel MOSFET 200V σε κέλυφος TO-220.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRF630 είναι N-Channel MOSFET και δεν είναι IGBT, TRIAC ή θυρίστορ. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το κέλυφος TO-220, η διάταξη ακροδεκτών, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), το gate charge και οι θερμικές απαιτήσεις της εφαρμογής. Δεν είναι logic-level MOSFET, επομένως δεν προτείνεται για απευθείας οδήγηση από 3.3V ή 5V μικροελεγκτή χωρίς κατάλληλο driver όταν απαιτείται πλήρης αγωγή.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.