INFINEONIRF 1010EPBF

Το IRF1010E της Infineon είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET τύπου N-Channel, με μέγιστη τάση Drain-Source 60V και συνεχές ρεύμα Drain έως 84A. Διατίθεται σε περίβλημα TO-220AB και είναι κατάλληλο για εφαρμογές χαμηλής τάσης και υψηλού ρεύματος, όπως ελεγκτές κινητήρων, μετατροπείς ισχύος, συστήματα μπαταριών και ηλεκτρονικούς διακόπτες φορτίων.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF1010E διαθέτει μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on) μόλις 12mOhm, με τάση οδήγησης Gate-Source 10V και ρεύμα Drain 50A. Η χαμηλή αντίσταση αγωγής συμβάλλει στον περιορισμό των απωλειών ισχύος και της αύξησης της θερμοκρασίας σε εφαρμογές υψηλού ρεύματος.

Η τάση κατωφλίου VGS(th) κυμαίνεται από 2V έως 4V. Η τιμή αυτή αντιστοιχεί μόνο στην έναρξη αγωγής και όχι στην πλήρη ενεργοποίηση του MOSFET. Για εφαρμογές ισχύος απαιτείται κατάλληλο κύκλωμα οδήγησης της πύλης, συνήθως με τάση περίπου 10V.

Η τεχνολογία HEXFET προσφέρει γρήγορη μεταγωγή, υψηλή αντοχή σε παλμούς avalanche και αυξημένη αξιοπιστία σε απαιτητικά κυκλώματα ισχύος. Το εξάρτημα διαθέτει ενσωματωμένη δίοδο σώματος και υποστηρίζει λειτουργία σε θερμοκρασία επαφής έως 175°C.

Το περίβλημα TO-220AB επιτρέπει την εύκολη τοποθέτηση σε ψύκτρα. Για λειτουργία με υψηλό ρεύμα απαιτείται κατάλληλη ψύξη, επαρκές πάχος αγωγών στην πλακέτα και σωστός υπολογισμός των απωλειών ισχύος.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για ελεγκτές κινητήρων DC, μετατροπείς DC/DC, συστήματα UPS και inverter χαμηλής τάσης, ηλεκτρονικούς διακόπτες φορτίων, συστήματα μπαταριών, φορτιστές, τροφοδοτικά SMPS και γενικές εφαρμογές μεταγωγής υψηλού ρεύματος.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από την αντικατάσταση άλλου MOSFET πρέπει να ελέγχονται η μέγιστη τάση Drain-Source, το συνεχές και παλμικό ρεύμα Drain, η αντίσταση RDS(on), το φορτίο πύλης, η τάση οδήγησης, η ταχύτητα μεταγωγής, το περίβλημα και η διάταξη των ακροδεκτών.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.