Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.023.0032

IRF 822

IRF822 MOSFET N-Channel 500V 2.2A TO-220
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 2,02 €

Το PMC IRF822 είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET τύπου N-Channel, με μέγιστη τάση Drain-Source 500V και συνεχές ρεύμα Drain έως 2.2A. Διατίθεται σε περίβλημα TO-220AB και είναι κατάλληλο για εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης, παλμοτροφοδοτικά, μετατροπείς ισχύος και κυκλώματα ελέγχου φορτίων.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF822 διαθέτει μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on) 4.0 Ohm, με τάση οδήγησης Gate-Source 10V. Η τάση κατωφλίου VGS(th) κυμαίνεται από 2V έως 4V, όμως αντιστοιχεί μόνο στην έναρξη αγωγής και όχι στην πλήρη ενεργοποίηση του MOSFET.

Για χρήση σε εφαρμογές ισχύος απαιτείται κατάλληλο κύκλωμα οδήγησης της πύλης, συνήθως με τάση περίπου 10V. Η σωστή οδήγηση περιορίζει τις απώλειες αγωγής και την αύξηση της θερμοκρασίας του εξαρτήματος.

Το εξάρτημα υποστηρίζει γρήγορη μεταγωγή, υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου και λειτουργία avalanche. Το περίβλημα TO-220AB διευκολύνει την τοποθέτηση σε ψύκτρα για αποτελεσματικότερη απαγωγή της θερμότητας.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για παλμοτροφοδοτικά SMPS, μετατροπείς DC/DC, κυκλώματα inverter, ηλεκτρονικά ballast, ελεγκτές κινητήρων και ρελέ, τροφοδοτικά υψηλής τάσης και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ωμικών ή επαγωγικών φορτίων.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από την αντικατάσταση άλλου MOSFET πρέπει να ελέγχονται η μέγιστη τάση Drain-Source, το συνεχές και παλμικό ρεύμα Drain, η αντίσταση RDS(on), το φορτίο πύλης, η ταχύτητα μεταγωγής, η ισχύς απωλειών, το περίβλημα και η διάταξη των ακροδεκτών.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.



Βάρος συσκευασίας: 0,002kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,002kg
ΚατασκευαστήςPMC
ΜοντέλοIRF822
Τύπος εξαρτήματοςPower MOSFET
Τύπος καναλιούN-Channel
Μέγιστη τάση Drain-Source VDS500V
Συνεχές ρεύμα Drain IDέως 2.2A στους 25°C
Συνεχές ρεύμα Drain στους 100°Cέως 1.4A
Παλμικό ρεύμα Drain IDMέως 7A
Μέγιστη αντίσταση RDS(on)4.0 Ohm
Συνθήκες μέτρησης RDS(on)VGS=10V, ID=1.4A
Τάση κατωφλίου Gate VGS(th)2V έως 4V
Μέγιστη τάση Gate-Source VGS+/-20V
Μέγιστη ισχύς απωλειών50W στους 25°C
Ενέργεια avalanche ενός παλμούέως 210mJ
Θερμική αντίσταση Junction-Case2.5°C/W
Θερμοκρασία λειτουργίας-55°C έως +150°C
ΠερίβλημαTO-220AB
Τρόπος τοποθέτησηςTHT
Αριθμός ακροδεκτών3
Ακροδέκτης 1Gate
Ακροδέκτης 2Drain
Ακροδέκτης 3Source
Μεταλλική πλάτηDrain
Χρήση ψύκτραςΑπαιτείται ανάλογα με την ισχύ λειτουργίας
Βάροςπερίπου 0,002 kg
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
UserID/Email:
Κωδικός: