Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.023.0101

INFINEONIRF 1405

International Rectifier IRF1405 MOSFET N-Channel 55V 169A TO-220
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 3,56 €

Το IRF1405 της International Rectifier είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET τύπου N-Channel, με μέγιστη τάση Drain-Source 55V και πολύ χαμηλή αντίσταση αγωγής. Διατίθεται σε περίβλημα TO-220AB και είναι κατάλληλο για εφαρμογές χαμηλής τάσης και υψηλού ρεύματος, όπως ελεγκτές κινητήρων, συστήματα UPS, μετατροπείς ισχύος και ηλεκτρονικοί διακόπτες φορτίων.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF1405 διαθέτει μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on) 5.3mOhm, με τάση οδήγησης Gate-Source 10V. Η πολύ χαμηλή αντίσταση αγωγής συμβάλλει στον περιορισμό των απωλειών ισχύος και της αύξησης της θερμοκρασίας σε εφαρμογές υψηλού ρεύματος.

Το συνεχές ρεύμα Drain υπολογίζεται έως 169A με θερμοκρασία περιβλήματος 25°C και ιδανικές συνθήκες ψύξης. Ωστόσο, το μέγιστο πρακτικό ρεύμα περιορίζεται από το περίβλημα TO-220 στα 75A. Η πραγματική δυνατότητα ρεύματος εξαρτάται από την ψύκτρα, τη θερμοκρασία, τη διατομή των αγωγών και τις συνθήκες λειτουργίας.

Η τάση κατωφλίου VGS(th) κυμαίνεται από 2V έως 4V, αλλά η τιμή αυτή αντιστοιχεί μόνο στην έναρξη αγωγής. Για πλήρη ενεργοποίηση σε εφαρμογές ισχύος απαιτείται κατάλληλο κύκλωμα οδήγησης της πύλης με τάση περίπου 10V.

Η τεχνολογία HEXFET προσφέρει γρήγορη μεταγωγή, υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου και αυξημένη αντοχή σε επαναλαμβανόμενους παλμούς avalanche. Το περίβλημα TO-220AB επιτρέπει την εύκολη τοποθέτηση σε κατάλληλη ψύκτρα.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για ελεγκτές κινητήρων DC, συστήματα UPS, inverter χαμηλής τάσης, μετατροπείς DC/DC, συστήματα μπαταριών, φορτιστές, ηλεκτρονικούς διακόπτες φορτίων, παλμοτροφοδοτικά και γενικές εφαρμογές μεταγωγής υψηλού ρεύματος.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από την αντικατάσταση άλλου MOSFET πρέπει να ελέγχονται η μέγιστη τάση Drain-Source, το πραγματικό επιτρεπόμενο ρεύμα, η αντίσταση RDS(on), το φορτίο πύλης, η τάση οδήγησης, η ταχύτητα μεταγωγής, το περίβλημα και η διάταξη των ακροδεκτών.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.



Βάρος συσκευασίας: 0,002kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,002kg
ΚατασκευαστήςInternational Rectifier
Όμιλος κατασκευαστήInfineon Technologies
ΜοντέλοIRF1405
Τύπος εξαρτήματοςPower MOSFET
ΤεχνολογίαHEXFET
Τύπος καναλιούN-Channel
Μέγιστη τάση Drain-Source VDS55V
Υπολογιζόμενο συνεχές ρεύμα Drain IDέως 169A στους 25°C
Περιορισμός ρεύματος περιβλήματος75A
Συνεχές ρεύμα Drain στους 100°Cέως 118A
Παλμικό ρεύμα Drain IDMέως 680A
Τυπική αντίσταση RDS(on)4.6mOhm
Μέγιστη αντίσταση RDS(on)5.3mOhm
Συνθήκες μέτρησης RDS(on)VGS=10V, ID=101A
Τάση κατωφλίου Gate VGS(th)2V έως 4V
Μέγιστη τάση Gate-Source VGS+/-20V
Τυπικό συνολικό φορτίο πύλης Qg170nC
Μέγιστο συνολικό φορτίο πύλης Qg260nC
Ενέργεια avalanche ενός παλμούέως 560mJ
Μέγιστη ισχύς απωλειών330W στους 25°C
Θερμική αντίσταση Junction-Caseέως 0.45°C/W
Θερμοκρασία λειτουργίας-55°C έως +175°C
Δυνατότητα avalancheΝαι
Τύπος οδήγησηςStandard Gate, δεν είναι Logic Level
Προτεινόμενη τάση πλήρους οδήγησηςπερίπου 10V
ΠερίβλημαTO-220AB
Τρόπος τοποθέτησηςTHT
Αριθμός ακροδεκτών3
Ακροδέκτης 1Gate
Ακροδέκτης 2Drain
Ακροδέκτης 3Source
Μεταλλική πλάτηDrain
Χρήση ψύκτραςΑπαιτείται ανάλογα με το ρεύμα και την ισχύ λειτουργίας
Βάροςπερίπου 0,002 kg
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
UserID/Email:
Κωδικός: