INFINEONIRFB 4110PBF

IRFB4110G N-Channel HEXFET Power MOSFET 100V TO-220 της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για εφαρμογές ισχύος, SMPS, UPS, DC-DC converters, inverter, PWM switching και κυκλώματα υψηλής ταχύτητας μεταγωγής.

Το IRFB4110G είναι N-Channel Power MOSFET τεχνολογίας HEXFET της International Rectifier, πλέον Infineon, σε κέλυφος TO-220AB / TO-220. Διαθέτει μέγιστη τάση Drain-Source 100V και πολύ χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 4.5mOhm max με VGS 10V. Είναι σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης όπου απαιτούνται χαμηλές απώλειες αγωγής, υψηλή ικανότητα ρεύματος και γρήγορη μεταγωγή.

Τεχνική περιγραφή

Το IRFB4110G είναι κατάλληλο για κυκλώματα ισχύος χαμηλής και μεσαίας τάσης, όπως synchronous rectification, τροφοδοτικά SMPS, UPS, μετατροπείς DC-DC και ηλεκτρονικούς διακόπτες φορτίου. Το κέλυφος TO-220 επιτρέπει τοποθέτηση σε πλακέτα και χρήση ψύκτρας σε εφαρμογές με αυξημένες θερμικές απαιτήσεις.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε high efficiency synchronous rectification, uninterruptible power supplies, high speed power switching, hard switched converters, high frequency circuits, DC-DC converters, inverter, battery systems, PWM drivers, DC motor control και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRFB4110G δεν είναι logic-level MOSFET. Για χαμηλή RDS(on) και πλήρη αγωγή απαιτείται συνήθως οδήγηση πύλης περίπου 10V. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να ελέγχεται η τάση VDS, το ρεύμα, η RDS(on), το κέλυφος TO-220, η διάταξη ακροδεκτών και οι θερμικές απαιτήσεις της εφαρμογής.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.