VishayIRF 620

Vishay IRF620 / IRF620PbF N-Channel Power MOSFET 200V 5.2A TO-220AB, κατάλληλο για τροφοδοτικά switching, DC-DC converters, κυκλώματα PWM, οδηγούς φορτίων, βιομηχανικά ηλεκτρονικά και γενικές εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης.

Το IRF620 της Vishay Siliconix είναι N-Channel Power MOSFET σε κέλυφος TO-220AB. Διαθέτει τάση Drain-Source 200V, συνεχές ρεύμα Drain 5.2A στους 25°C και αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.80 Ohm max με οδήγηση πύλης 10V. Η σχεδίαση τρίτης γενιάς της Vishay προσφέρει fast switching, αντοχή σε avalanche λειτουργία και απλές απαιτήσεις οδήγησης.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF620PbF είναι MOSFET ισχύος για εφαρμογές μεταγωγής, με dynamic dv/dt rating, repetitive avalanche rating και δυνατότητα παράλληλης λειτουργίας σε κατάλληλα σχεδιασμένα κυκλώματα. Το κέλυφος TO-220AB προσφέρει χαμηλή θερμική αντίσταση και δυνατότητα τοποθέτησης σε ψύκτρα για καλύτερη απαγωγή θερμότητας.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε switching power supplies, DC-DC converters, κυκλώματα PWM, οδηγούς φορτίων, relay drivers, μετατροπείς τάσης, ηλεκτρονικά ισχύος, βιομηχανικά κυκλώματα ελέγχου και εφαρμογές όπου απαιτείται N-Channel MOSFET 200V σε κέλυφος TO-220.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRF620 είναι N-Channel MOSFET και δεν είναι IGBT, TRIAC ή θυρίστορ. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το κέλυφος TO-220AB, η διάταξη ακροδεκτών, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), το gate charge και οι θερμικές απαιτήσεις της εφαρμογής. Δεν είναι logic-level MOSFET, επομένως για πλήρη αγωγή απαιτείται κατάλληλη οδήγηση πύλης, συνήθως 10V.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.