Bilin/Galaxy MicroelectronicsIRF 740

Το BILIN IRF740 της Galaxy Microelectronics είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET τύπου N-Channel, με μέγιστη τάση Drain-Source 400V και συνεχές ρεύμα Drain έως 10A. Διατίθεται σε περίβλημα TO-220AB και είναι κατάλληλο για εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης, παλμοτροφοδοτικά, μετατροπείς ισχύος και κυκλώματα ελέγχου φορτίων.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF740 διαθέτει μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.55 Ohm όταν οδηγείται με τάση Gate-Source 10V. Η πύλη του ελέγχεται με τάση και απαιτεί κατάλληλο κύκλωμα οδήγησης ώστε το MOSFET να μεταβαίνει πλήρως στην κατάσταση αγωγής.

Η μέγιστη επιτρεπόμενη τάση Gate-Source είναι ±20V, ενώ η τάση κατωφλίου VGS(th) κυμαίνεται συνήθως από 2V έως 4V. Η τάση κατωφλίου δεν αποτελεί τάση πλήρους οδήγησης και για εφαρμογές ισχύος συνιστάται οδήγηση της πύλης περίπου στα 10V.

Το περίβλημα TO-220AB διευκολύνει την τοποθέτηση του εξαρτήματος σε ψύκτρα. Σε εφαρμογές υψηλού ρεύματος ή μεγάλης ισχύος πρέπει να χρησιμοποιείται κατάλληλη ψύκτρα και, όπου απαιτείται, ηλεκτρικά μονωτικό υλικό μεταξύ του MOSFET και της ψύκτρας.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για παλμοτροφοδοτικά SMPS, μετατροπείς DC/DC, UPS, ηλεκτρονικά ballast, κυκλώματα inverter, ελεγκτές φορτίων, βιομηχανικά τροφοδοτικά και γενικές εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από την αντικατάσταση άλλου MOSFET πρέπει να ελέγχονται η τάση Drain-Source, το συνεχές και παλμικό ρεύμα Drain, η αντίσταση RDS(on), το φορτίο πύλης, η ταχύτητα μεταγωγής, η ισχύς απωλειών, το περίβλημα και η διάταξη των ακροδεκτών.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.