INFINEONIRFB 3206PBF

Το Infineon IRFB3206PBF είναι MOSFET ισχύος N-Channel 60V σε θήκη TO-220AB, με πολύ χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) έως 3.0mΩ και ισχύ απαγωγής 300W, κατάλληλο για τροφοδοτικά, DC-DC μετατροπείς, κυκλώματα ισχύος, motor control και εφαρμογές γρήγορης μεταγωγής.

Το IRFB3206PBF ανήκει στην τεχνολογία HEXFET Power MOSFET και προσφέρει βελτιωμένη αντοχή σε avalanche, δυναμικό dV/dt και υψηλής απόδοσης μεταγωγή. Είναι κατάλληλο για εφαρμογές όπου απαιτείται χαμηλή απώλεια αγωγής, υψηλό ρεύμα και αξιόπιστη λειτουργία σε κυκλώματα συνεχούς ρεύματος.

Τεχνική περιγραφή
Το IRFB3206PBF διαθέτει τάση drain-source 60V, μέγιστη αντίσταση RDS(on) 3.0mΩ με VGS 10V και ID 75A, μέγιστη τάση gate-source ±20V και θερμοκρασία λειτουργίας junction από -55°C έως +175°C. Το datasheet αναφέρει ρεύμα 210A ως silicon-limited στους 25°C, 150A ως silicon-limited στους 100°C και 120A ως package / wire bond limited.

Ενδεικτικές εφαρμογές
Κατάλληλο για SMPS, high-efficiency synchronous rectification, UPS, DC-DC converters, motor drives, battery-powered systems, hard-switched κυκλώματα, high-speed power switching και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος DC.

Σημείωση συμβατότητας
Πριν την αντικατάσταση πρέπει να ελέγχεται η τάση VDS, το RDS(on), το gate charge, το pinout, η θήκη TO-220AB, η απαίτηση ψύξης και το πραγματικό ρεύμα λειτουργίας του κυκλώματος. Το συνεχές ρεύμα του MOSFET περιορίζεται πρακτικά από τη θερμοκρασία, την ψύκτρα, το PCB, τα καλώδια και τις συνθήκες λειτουργίας.

Σημείωση σχεδίασης
Για λειτουργία σε υψηλά ρεύματα απαιτείται κατάλληλη ψύξη και σωστή οδήγηση πύλης. Η χαμηλή τιμή RDS(on) ισχύει με επαρκή τάση οδήγησης gate, τυπικά VGS 10V.

Βάρος συσκευασίας: 0,002kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,002kg