INFINEONIRF 820

Το IRF820 της Infineon είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET τύπου N-Channel, με μέγιστη τάση Drain-Source 500V και συνεχές ρεύμα Drain έως 2.5A. Διατίθεται σε περίβλημα TO-220AB και είναι κατάλληλο για κυκλώματα μεταγωγής υψηλής τάσης, παλμοτροφοδοτικά, ηλεκτρονικά ballast, μετατροπείς ισχύος και βιομηχανικές εφαρμογές.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF820 διαθέτει μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on) 3.0 Ohm, με τάση οδήγησης Gate-Source 10V. Η τάση κατωφλίου VGS(th) κυμαίνεται από 2V έως 4V, όμως η τιμή αυτή υποδηλώνει μόνο την έναρξη αγωγής και όχι την πλήρη ενεργοποίηση του MOSFET.

Για εφαρμογές ισχύος απαιτείται κατάλληλο κύκλωμα οδήγησης της πύλης, με τάση περίπου 10V, ώστε να περιορίζονται οι απώλειες αγωγής και η αύξηση της θερμοκρασίας του εξαρτήματος.

Η κατασκευή του προσφέρει γρήγορη μεταγωγή, αντοχή σε επαναλαμβανόμενα φαινόμενα avalanche και εύκολη παράλληλη σύνδεση. Το περίβλημα TO-220AB επιτρέπει την τοποθέτηση σε ψύκτρα για αποτελεσματικότερη απαγωγή της παραγόμενης θερμότητας.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για παλμοτροφοδοτικά SMPS, ηλεκτρονικά ballast φωτισμού, μετατροπείς DC/DC, κυκλώματα inverter, τροφοδοτικά υψηλής τάσης, ελεγκτές ισχύος και γενικές εφαρμογές μεταγωγής επαγωγικών ή ωμικών φορτίων.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από την αντικατάσταση άλλου MOSFET πρέπει να ελέγχονται η μέγιστη τάση Drain-Source, το συνεχές και παλμικό ρεύμα Drain, η αντίσταση RDS(on), το φορτίο πύλης, η ταχύτητα μεταγωγής, η μέγιστη ισχύς απωλειών, το περίβλημα και η διάταξη των ακροδεκτών.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.