Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.023.0239

VishayIRFR 9014

IRFR9014 P-Channel MOSFET 60V 5.1A SMD DPAK Vishay
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 3,10 €

IRFR9014 P-Channel Power MOSFET 60V 5.1A SMD DPAK / TO-252 της Vishay Siliconix, κατάλληλο για διακοπτικές εφαρμογές ισχύος, load switching, τροφοδοτικά, μετατροπείς DC-DC και ηλεκτρονικά κυκλώματα SMD.

Το IRFR9014 είναι P-Channel Power MOSFET της Vishay Siliconix, σε κέλυφος DPAK / TO-252 για επιφανειακή τοποθέτηση SMD. Διαθέτει μέγιστη τάση Drain-Source -60V, συνεχές ρεύμα Drain -5.1A και αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.50 Ohm max με VGS -10V. Είναι κατάλληλο για εφαρμογές όπου απαιτείται P-Channel MOSFET για high-side switching, προστασία τροφοδοσίας ή ελεγχόμενη μεταγωγή φορτίων DC.

Τεχνική περιγραφή

Το IRFR9014 χρησιμοποιεί τεχνολογία power MOSFET τρίτης γενιάς, με χαρακτηριστικά γρήγορης μεταγωγής, αντοχή σε avalanche και dynamic dV/dt rating. Το κέλυφος DPAK / TO-252 επιτρέπει SMD τοποθέτηση και θερμική απαγωγή μέσω της πλακέτας, με κατάλληλη χαλκοεπιφάνεια στο PCB. Η έκδοση IRFR9014 είναι η SMD έκδοση της σειράς, ενώ η αντίστοιχη straight lead through-hole έκδοση είναι η IRFU9014.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε high-side switching, διακόπτες φορτίου DC, προστασία ανάστροφης πολικότητας, power management, τροφοδοτικά, DC-DC converters, battery powered circuits, αυτοματισμούς, ηλεκτρονικές συσκευές και εφαρμογές όπου απαιτείται P-Channel MOSFET σε SMD κέλυφος.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRFR9014 είναι P-Channel MOSFET και όχι N-Channel. Η πολικότητα, η διάταξη ακροδεκτών και ο τρόπος οδήγησης της πύλης διαφέρουν από αντίστοιχα N-Channel MOSFET. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το κέλυφος DPAK / TO-252, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), η πολικότητα P-Channel και οι θερμικές απαιτήσεις της πλακέτας.

Βάρος: περίπου 0,001 kg.



Βάρος συσκευασίας: 0,001kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,001kg
ΚατασκευαστήςVishay Siliconix
ΜοντέλοIRFR9014
Σχετικοί κωδικοίIRFR9014PbF / SiHFR9014
Αντίστοιχη through-hole έκδοσηIRFU9014
Τύπος προϊόντοςPower MOSFET
ΠολικότηταP-Channel
ConfigurationSingle
Μέγιστη τάση Drain-Source VDS-60V
Μέγιστο συνεχές ρεύμα Drain ID-5.1A @ TC 25°C
Συνεχές ρεύμα Drain ID-3.2A @ TC 100°C
Παλμικό ρεύμα Drain IDMέως -20A
RDS(on)0.50 Ohm max @ VGS -10V
Gate threshold voltage VGS(th)-2.0V έως -4.0V
Μέγιστη τάση Gate-Source VGS+/-20V
Total gate charge Qgέως 12nC
Gate-to-Source charge Qgsπερίπου 3.8nC
Gate-to-Drain charge Qgdπερίπου 5.1nC
Input capacitance Cissπερίπου 270pF
Output capacitance Cossπερίπου 170pF
Reverse transfer capacitance Crssπερίπου 31pF
Turn-on delay time td(on)περίπου 11ns
Rise time trπερίπου 63ns
Turn-off delay time td(off)περίπου 9.6ns
Fall time tfπερίπου 31ns
Power dissipation PDέως 25W @ TC 25°C
Power dissipation σε PCB mountέως 2.5W @ TA 25°C
Single pulse avalanche energy EAS140mJ
Repetitive avalanche current IAR-5.1A
Repetitive avalanche energy EAR2.5mJ
Peak diode recovery dV/dt-4.5V/ns
Θερμική αντίσταση Junction-to-Case RthJCέως 5.0°C/W
Θερμική αντίσταση Junction-to-Ambient σε PCB mountέως 50°C/W
Θερμική αντίσταση Junction-to-Ambientέως 110°C/W
Θερμοκρασία λειτουργίας junction-55°C έως +150°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης-55°C έως +150°C
ΚέλυφοςDPAK / TO-252
Τύπος τοποθέτησηςSMD / Surface Mount
ΑκροδέκτεςGate, Drain, Source
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Fast switching
Διαθέσιμο σε tape and reel εκδόσεις
Κατάλληλο για high-side switching, power management, DC-DC converters και load switching
Δεν είναι N-Channel MOSFET
Δεν είναι TO-220 εξάρτημα
Ενδεικτικό βάροςπερίπου 0,001 kg
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
UserID/Email:
Κωδικός: