ON(FAIRCHILD)IRF 830

Το IRF830 είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET τύπου N-Channel, με μέγιστη τάση Drain-Source 500V και συνεχές ρεύμα Drain έως 4.5A. Διατίθεται σε περίβλημα TO-220AB και είναι κατάλληλο για παλμοτροφοδοτικά, μετατροπείς ισχύος, κυκλώματα inverter και εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF830 διαθέτει μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on) 1.5 Ohm, με τάση οδήγησης Gate-Source 10V. Η χαμηλότερη αντίσταση αγωγής του, σε σύγκριση με MOSFET όπως τα IRF820 και IRF822, επιτρέπει τη διαχείριση μεγαλύτερου ρεύματος με χαμηλότερες απώλειες αγωγής.

Η τάση κατωφλίου VGS(th) κυμαίνεται από 2V έως 4V. Η τιμή αυτή αντιστοιχεί μόνο στην έναρξη αγωγής και δεν αποτελεί τάση πλήρους ενεργοποίησης. Για εφαρμογές ισχύος απαιτείται κατάλληλο κύκλωμα οδήγησης της πύλης με τάση περίπου 10V.

Το εξάρτημα προσφέρει υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου, γρήγορη μεταγωγή και αντοχή σε παλμούς avalanche. Το περίβλημα TO-220AB επιτρέπει την εύκολη τοποθέτηση σε ψύκτρα για αποτελεσματικότερη απαγωγή της θερμότητας.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για παλμοτροφοδοτικά SMPS, συστήματα UPS, μετατροπείς DC/DC, κυκλώματα inverter, ηλεκτρονικά ballast, τροφοδοτικά υψηλής τάσης, ελεγκτές ισχύος και εφαρμογές μεταγωγής ωμικών ή επαγωγικών φορτίων.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από την αντικατάσταση άλλου MOSFET πρέπει να ελέγχονται η μέγιστη τάση Drain-Source, το συνεχές και παλμικό ρεύμα Drain, η αντίσταση RDS(on), το φορτίο πύλης, η ταχύτητα μεταγωγής, η ισχύς απωλειών, το περίβλημα και η διάταξη των ακροδεκτών.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.