Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.023.0146

INFINEONIRFIZ 48NPBF

IRFIZ48N N-Channel MOSFET 55V 40A TO-220F FullPak Infineon
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 1,86 €

IRFIZ48N N-Channel HEXFET Power MOSFET 55V 40A TO-220F FullPak της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για διακοπτικές εφαρμογές ισχύος, DC φορτία, τροφοδοτικά, inverter, έλεγχο κινητήρων, φωτισμό και βιομηχανικά ηλεκτρονικά κυκλώματα.

Το IRFIZ48N είναι N-Channel Power MOSFET τεχνολογίας HEXFET, αρχικά της International Rectifier και πλέον της Infineon. Διαθέτει τάση Drain-Source 55V, συνεχές ρεύμα Drain έως 40A και χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 16mOhm max με οδήγηση πύλης 10V. Το κέλυφος TO-220 FullPak / TO-220F είναι πλήρως μονωμένο, επιτρέποντας ευκολότερη τοποθέτηση σε ψύκτρα χωρίς πρόσθετη μονωτική μίκα σε πολλές εφαρμογές.

Τεχνική περιγραφή

Το IRFIZ48N είναι κατάλληλο για χρήση ως διακόπτης ισχύος σε εφαρμογές χαμηλής τάσης DC, μετατροπείς ισχύος, SMPS, ελεγκτές κινητήρων, LED drivers και κυκλώματα φόρτισης ή διαχείρισης μπαταριών. Η πλήρως μονωμένη συσκευασία FullPak παρέχει υψηλή ηλεκτρική μόνωση μεταξύ του εξαρτήματος και της ψύκτρας, με isolation 2.5kVRMS και creepage distance 4.8mm.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε DC motor control, inverter χαμηλής τάσης, switching power supplies, LED drivers, load switches, battery powered circuits, αυτοματισμούς, PWM εφαρμογές, ρομποτικές κατασκευές και γενικά κυκλώματα μεταγωγής ισχύος.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRFIZ48N είναι η μονωμένη FullPak / TO-220F έκδοση και δεν είναι μηχανικά ίδιο με το κλασικό IRFZ48N σε TO-220 με μεταλλική πλάτη. Δεν είναι logic-level MOSFET. Για πλήρη αγωγή και χαμηλή RDS(on) απαιτείται συνήθως οδήγηση πύλης περίπου 10V.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.



Βάρος συσκευασίας: 0,002kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,002kg
ΚατασκευαστήςInternational Rectifier / Infineon
ΜοντέλοIRFIZ48N
Προτεινόμενος κωδικός παραγγελίαςIRFIZ48NPbF
Τύπος προϊόντοςPower MOSFET
ΠολικότηταN-Channel
ΤεχνολογίαHEXFET / IR MOSFET
Μέγιστη τάση Drain-Source VDS55V
Μέγιστο συνεχές ρεύμα Drain ID40A @ TC 25°C
Συνεχές ρεύμα Drain ID29A @ TC 100°C
Παλμικό ρεύμα Drain IDMέως 210A
RDS(on)16mOhm max @ VGS 10V, ID 22A
Gate threshold voltage VGS(th)2V έως 4V
Μέγιστη τάση Gate-Source VGS+/-20V
Power dissipation PDέως 54W @ TC 25°C
Linear derating factor0.36W/°C
Single pulse avalanche energy EAS270mJ
Avalanche current IAR32A
Peak diode recovery dv/dt5.0V/ns
Total gate charge Qgέως 89nC
Gate-to-Source charge Qgsέως 20nC
Gate-to-Drain charge Qgdέως 39nC
Input capacitance Cissπερίπου 1900pF
Output capacitance Cossπερίπου 620pF
Reverse transfer capacitance Crssπερίπου 270pF
Body diode forward voltage VSDέως 1.3V
Reverse recovery time trr94ns typ., 140ns max
Θερμική αντίσταση Junction-to-Case RthJCέως 2.8°C/W
Θερμική αντίσταση Junction-to-Ambient RthJAέως 65°C/W
Θερμοκρασία λειτουργίας junction-55°C έως +175°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης-55°C έως +175°C
ΚέλυφοςTO-220 FullPak / TO-220F
Τύπος κελύφουςπλήρως μονωμένο / isolated package
High voltage isolation2.5kVRMS
Sink to lead creepage distance4.8mm
Τύπος τοποθέτησηςTHT / Through Hole
ΑκροδέκτεςGate, Drain, Source
Fully avalanche rated
Lead-Free
RoHS compliant
Κατάλληλο για χρήση με ψύκτρα
Δεν είναι logic-level MOSFET
Δεν είναι ίδιο μηχανικά με IRFZ48N TO-220 μεταλλικής πλάτης
Για πλήρη αγωγή απαιτείται συνήθως οδήγηση πύλης περίπου 10V
Κατάλληλο για DC motor control, SMPS, inverter, LED drivers και load switching
Ενδεικτικό βάροςπερίπου 0,002 kg
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
UserID/Email:
Κωδικός: