VishayIRF 540SPBF

Vishay IRF540SPbF / IRF540S N-Channel Power MOSFET 100V 28A D2PAK / TO-263, κατάλληλο για τροφοδοτικά switching, DC-DC converters, οδηγούς μοτέρ, κυκλώματα PWM, load switching, βιομηχανικά ηλεκτρονικά και εφαρμογές ισχύος σε επιφανειακή τοποθέτηση.

Το IRF540SPbF της Vishay Siliconix είναι N-Channel Power MOSFET σε κέλυφος D2PAK / TO-263 για SMD τοποθέτηση. Διαθέτει τάση Drain-Source 100V, συνεχές ρεύμα Drain 28A στους 25°C και αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.077 Ohm max με οδήγηση πύλης 10V. Το D2PAK / TO-263 προσφέρει χαμηλή εσωτερική αντίσταση σύνδεσης και είναι κατάλληλο για πλακέτες ισχύος όπου απαιτείται MOSFET υψηλού ρεύματος σε SMD μορφή.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF540SPbF είναι MOSFET ισχύος τρίτης γενιάς της Vishay, σχεδιασμένο για fast switching, χαμηλή RDS(on), dynamic dv/dt rating και repetitive avalanche operation. Το κέλυφος D2PAK / TO-263 επιτρέπει επιφανειακή τοποθέτηση και καλή θερμική συμπεριφορά όταν η πλακέτα διαθέτει κατάλληλη χαλκοεπιφάνεια και σωστή θερμική σχεδίαση.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε switching power supplies, DC-DC converters, PWM drivers, οδηγούς μοτέρ, load switching, μετατροπείς τάσης, ηλεκτρονικά ισχύος, βιομηχανικούς αυτοματισμούς και εφαρμογές όπου απαιτείται N-Channel MOSFET 100V σε κέλυφος D2PAK / TO-263.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRF540SPbF είναι N-Channel MOSFET και όχι IGBT, TRIAC ή θυρίστορ. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται ο ακριβής κωδικός, το SMD κέλυφος D2PAK / TO-263, η διάταξη ακροδεκτών, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), το gate charge και η θερμική σχεδίαση της πλακέτας. Δεν είναι logic-level MOSFET, επομένως για πλήρη αγωγή απαιτείται κατάλληλη οδήγηση πύλης, συνήθως 10V.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.