Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.023.0159

STMicroelectronicsSTW 35N65M5

STMicroelectronics STW35N65M5 N-Channel MOSFET 650V 27A TO-247
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 13,05 €
Το STW35N65M5 της STMicroelectronics είναι N-Channel Power MOSFET υψηλής τάσης, τεχνολογίας MDmesh M5, σε περίβλημα TO-247-3 για τοποθέτηση through-hole. Είναι κατάλληλο για εφαρμογές μεταγωγής ισχύος, τροφοδοτικά switching, μετατροπείς ισχύος, PFC, inverter stages και βιομηχανικά κυκλώματα υψηλής τάσης. Διαθέτει τάση αποστράγγισης-πηγής 650V, συνεχές ρεύμα αποστράγγισης 27A, παλμικό ρεύμα 108A και μέγιστη αντίσταση αγωγής 98mΩ με VGS = 10V. Το περίβλημα TO-247 το καθιστά κατάλληλο για εφαρμογές όπου απαιτείται καλύτερη θερμική απαγωγή σε ψύκτρα σε σχέση με SMD εκδόσεις.
Για πλήρη χαρακτηριστικά, δείτε το αρχείο PDF.

Βάρος συσκευασίας: 0,001kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,001kg
ΚατασκευαστήςSTMicroelectronics
Κωδικός προϊόντοςSTW35N65M5
ΤύποςPower MOSFET
ΚανάλιN-Channel
ΤεχνολογίαMDmesh M5
ΠολικότηταEnhancement mode
ΠερίβλημαTO-247-3
Τύπος τοποθέτησηςThrough-hole
Τάση αποστράγγισης-πηγής VDS650V
Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης ID27A στους TC = 25°C
Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης ID17A στους TC = 100°C
Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης IDM108A
Μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on)98mΩ
Τυπική αντίσταση αγωγής RDS(on)85mΩ
Συνθήκες μέτρησης RDS(on)VGS = 10V, ID = 13,5A
Τάση πύλης-πηγής VGS±25V
Τάση κατωφλίου πύλης VGS(th)3V έως 5V
Συνολικό φορτίο πύλης Qg83nC typ.
Χωρητικότητα εισόδου Ciss3750pF typ.
Χωρητικότητα εξόδου Coss84pF typ.
Reverse transfer capacitance Crss5,5pF typ.
Μέγιστη ισχύς απαγωγής PTOT160W στους TC = 25°C
Θερμική αντίσταση junction-to-case RthJC0,78°C/W
Μέγιστη θερμοκρασία junction TJ150°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης-55°C έως +150°C
Χαρακτηριστικό100% avalanche tested
Pinout1 Gate, 2 Drain / Tab, 3 Source
ΣυσκευασίαTube
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
UserID/Email:
Κωδικός: