STMicroelectronicsSTP 4N150

Name: STMicroelectronics STP 4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 801.004.0638
Price: 9.67 EUR
Availability: InStock

STP4N150 STMicroelectronics N-Channel MOSFET 1500V 4A TO-220

Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!

Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 9,67 €

Περιγραφή
Χαρακτηριστικά
Σχετικά έγγραφα

Το STP4N150 της STMicroelectronics είναι ισχυρό N-Channel Power MOSFET πολύ υψηλής τάσης, σχεδιασμένο για εφαρμογές μεταγωγής ισχύος. Με μέγιστη τάση drain-source 1500V και συνεχές ρεύμα drain 4A, είναι κατάλληλο για κυκλώματα όπου απαιτείται υψηλή αντοχή τάσης και αξιόπιστη λειτουργία σε απαιτητικά τροφοδοτικά και βιομηχανικές εφαρμογές. Το εξάρτημα βασίζεται στην τεχνολογία PowerMESH??A / MESH OVERLAY??A της STMicroelectronics, προσφέροντας βελτιωμένη μεταγωγική συμπεριφορά, μειωμένες χωρητικότητες και ελαχιστοποιημένο gate charge. Είναι 100% avalanche tested, χαρακτηριστικό σημαντικό για εφαρμογές με επαγωγικά φορτία και μεταβατικά φαινόμενα. Το κέλυφος TO-220 / TO-220-3 επιτρέπει εύκολη through-hole τοποθέτηση και αποτελεσματική θερμική απαγωγή με χρήση ψύκτρας, όπου απαιτείται.

Βάρος συσκευασίας: 0,002kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,002kg

ΚατασκευαστήςSTMicroelectronics

Κωδικός κατασκευαστήSTP4N150

Τύπος προϊόντοςPower MOSFET

Πολικότητα / κανάλιN-Channel

ΤεχνολογίαPowerMESH??A / MESH OVERLAY??A

Μέγιστη τάση drain-source VDS1500V

Συνεχές ρεύμα drain ID4A

Αντίσταση αγωγής RDS(on)5Ω typ. / 7Ω max.

Συνθήκες μέτρησης RDS(on)VGS = 10V, ID = 2A

Μέγιστη τάση gate-source VGS±30V

Τάση κατωφλίου gate VGS(th)3V έως 5V

Ισχύς απώλειας PD160W