INFINEONSPW20N60C3

Infineon SPW20N60C3 N-Channel CoolMOS Power MOSFET 600V 20.7A TO-247, κατάλληλο για τροφοδοτικά switching, μετατροπείς ισχύος, PFC κυκλώματα, inverters, βιομηχανικά ηλεκτρονικά και εφαρμογές υψηλής τάσης.

Το SPW20N60C3 της Infineon είναι N-Channel CoolMOS Power Transistor σε κέλυφος PG-TO247-3 / TO-247. Διαθέτει τάση διάσπασης Drain-Source 600V, μέγιστο ρεύμα Drain 20.7A στους 25°C και χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.19 Ohm max. Η τεχνολογία CoolMOS C3 προσφέρει χαμηλό gate charge, υψηλή απόδοση μεταγωγής και καλή συμπεριφορά σε εφαρμογές υψηλής τάσης και υψηλής συχνότητας.

Τεχνική περιγραφή

Το SPW20N60C3 είναι MOSFET υψηλής τάσης με χαρακτηριστικά periodic avalanche rating, extreme dv/dt rating και υψηλή ικανότητα παλμικού ρεύματος. Το κέλυφος TO-247 επιτρέπει αποτελεσματική θερμική απαγωγή με κατάλληλη ψύκτρα, καθιστώντας το κατάλληλο για ισχυρά SMPS, PFC stages και κυκλώματα ισχύος όπου απαιτείται συνδυασμός υψηλής τάσης, ρεύματος και χαμηλών απωλειών.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε switching power supplies, PFC converters, DC-DC converters, inverters, electronic ballasts, βιομηχανικά τροφοδοτικά, UPS, κυκλώματα υψηλής τάσης, power factor correction και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος.

Σημείωση συμβατότητας

Το SPW20N60C3 είναι N-Channel MOSFET υψηλής τάσης και δεν είναι IGBT. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το κέλυφος TO-247, η διάταξη ακροδεκτών, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), το gate charge και οι θερμικές απαιτήσεις της εφαρμογής. Για πλήρη αγωγή απαιτείται κατάλληλη οδήγηση πύλης, συνήθως 10V έως 13V, ανάλογα με το κύκλωμα.

Βάρος: περίπου 0,006 kg.