INFINEONIRFU 024N

IRFU024N N-Channel HEXFET Power MOSFET 55V 17A I-PAK / TO-251AA της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για διακοπτικές εφαρμογές ισχύος, DC φορτία, τροφοδοτικά, PWM control, αυτοματισμούς και ηλεκτρονικές κατασκευές.

Το IRFU024N είναι N-Channel Power MOSFET τεχνολογίας HEXFET της International Rectifier, πλέον Infineon, σε κέλυφος I-PAK / TO-251AA με ίσια ποδαράκια για through-hole τοποθέτηση. Διαθέτει μέγιστη τάση Drain-Source 55V, συνεχές ρεύμα Drain έως 17A και αντίσταση αγωγής RDS(on) 75mOhm max με VGS 10V. Η κατασκευή του είναι κατάλληλη για εφαρμογές χαμηλής και μεσαίας ισχύος όπου απαιτείται γρήγορη μεταγωγή και αξιόπιστη λειτουργία.

Τεχνική περιγραφή

Το IRFU024N χρησιμοποιείται ως ηλεκτρονικός διακόπτης σε κυκλώματα DC, τροφοδοτικά, PWM drivers, μικρούς ελεγκτές κινητήρων και εφαρμογές load switching. Το κέλυφος I-PAK / TO-251AA είναι through-hole τύπου straight lead και διαφοροποιείται μηχανικά από την SMD έκδοση IRFR024N, η οποία είναι D-PAK / TO-252. Για εφαρμογές με υψηλότερο ρεύμα πρέπει να λαμβάνεται υπόψη η θερμική απαγωγή και η σωστή σχεδίαση της πλακέτας.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε DC motor control, PWM switching, LED drivers, τροφοδοτικά, load switches, battery powered circuits, αυτοματισμούς, ηλεκτρονικές κατασκευές, μικρούς μετατροπείς ισχύος και γενικές εφαρμογές μεταγωγής φορτίων DC.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRFU024N είναι I-PAK / TO-251AA through-hole MOSFET και δεν είναι μηχανικά ίδιο με TO-220 εξαρτήματα. Επίσης δεν πρέπει να συγχέεται με το IRFR024N, που είναι η SMD D-PAK έκδοση. Δεν είναι logic-level MOSFET. Για χαμηλή RDS(on) και πλήρη αγωγή απαιτείται συνήθως οδήγηση πύλης περίπου 10V.

Βάρος: περίπου 0,001 kg.