INFINEONIRF 640 NPBF

Infineon IRF640N / IRF640NPbF N-Channel HEXFET Power MOSFET 200V 18A TO-220AB, κατάλληλο για τροφοδοτικά switching, DC-DC converters, κυκλώματα PWM, οδηγούς φορτίων, βιομηχανικά ηλεκτρονικά και εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης.

Το IRF640N της Infineon είναι N-Channel HEXFET Power MOSFET σε κέλυφος TO-220AB. Διαθέτει τάση Drain-Source 200V, συνεχές ρεύμα Drain 18A στους 25°C και χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.15 Ohm max με οδήγηση πύλης 10V. Η τεχνολογία HEXFET προσφέρει fast switching, fully avalanche rated σχεδίαση και καλή συμπεριφορά σε εφαρμογές ισχύος.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF640NPbF είναι MOSFET ισχύος πέμπτης γενιάς HEXFET, σχεδιασμένο για χαμηλή αντίσταση αγωγής, γρήγορη μεταγωγή, dynamic dv/dt rating και απλές απαιτήσεις οδήγησης. Το κέλυφος TO-220AB επιτρέπει τοποθέτηση σε ψύκτρα για αποτελεσματική θερμική απαγωγή, ενώ η διάταξη ακροδεκτών είναι Gate, Drain, Source, με το μεταλλικό tab συνδεδεμένο στο Drain.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε switching power supplies, DC-DC converters, PWM circuits, load switching, relay drivers, μετατροπείς τάσης, ηλεκτρονικά ισχύος, βιομηχανικά κυκλώματα ελέγχου και εφαρμογές όπου απαιτείται N-Channel MOSFET 200V σε κέλυφος TO-220.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRF640N είναι N-Channel MOSFET και δεν είναι IGBT, TRIAC ή θυρίστορ. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το κέλυφος TO-220AB, η διάταξη ακροδεκτών, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), το gate charge και οι θερμικές απαιτήσεις της εφαρμογής. Δεν είναι logic-level MOSFET, επομένως για πλήρη αγωγή απαιτείται κατάλληλη οδήγηση πύλης, συνήθως 10V.