INFINEONIRF 634PBF

Infineon / International Rectifier IRF634PbF N-Channel HEXFET Power MOSFET 250V 8.1A TO-220AB, κατάλληλο για τροφοδοτικά switching, DC-DC converters, κυκλώματα PWM, οδηγούς φορτίων, βιομηχανικά ηλεκτρονικά και γενικές εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης.

Το IRF634 είναι N-Channel Power MOSFET σε κέλυφος TO-220AB, με τάση Drain-Source 250V, συνεχές ρεύμα Drain 8.1A στους 25°C και αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.45 Ohm max με οδήγηση πύλης 10V. Η τεχνολογία HEXFET προσφέρει γρήγορη μεταγωγή, αντοχή σε avalanche λειτουργία και απλές απαιτήσεις οδήγησης σε εφαρμογές ισχύος.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF634PbF είναι MOSFET ισχύος για εφαρμογές μεταγωγής, με dynamic dv/dt rating, repetitive avalanche rating και δυνατότητα παράλληλης λειτουργίας σε κατάλληλα σχεδιασμένα κυκλώματα. Το κέλυφος TO-220AB προσφέρει χαμηλή θερμική αντίσταση και δυνατότητα τοποθέτησης σε ψύκτρα για καλύτερη απαγωγή θερμότητας.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε switching power supplies, DC-DC converters, κυκλώματα PWM, οδηγούς φορτίων, relay drivers, μετατροπείς τάσης, ηλεκτρονικά ισχύος, βιομηχανικά κυκλώματα ελέγχου και εφαρμογές όπου απαιτείται N-Channel MOSFET 250V σε κέλυφος TO-220.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRF634 είναι N-Channel MOSFET και δεν είναι IGBT, TRIAC ή θυρίστορ. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το κέλυφος TO-220AB, η διάταξη ακροδεκτών, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), το gate charge και οι θερμικές απαιτήσεις της εφαρμογής. Δεν είναι logic-level MOSFET, επομένως για πλήρη αγωγή απαιτείται κατάλληλη οδήγηση πύλης, συνήθως 10V.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.