Bilin/Galaxy MicroelectronicsIRF 840

Το BILIN IRF840 της Galaxy Microelectronics είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET τύπου N-Channel, με μέγιστη τάση Drain-Source 500V και συνεχές ρεύμα Drain έως 8A. Διατίθεται σε περίβλημα TO-220AB και είναι κατάλληλο για παλμοτροφοδοτικά, μετατροπείς ισχύος, κυκλώματα inverter και εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF840 διαθέτει μέγιστη αντίσταση αγωγής RDS(on) 0.85 Ohm με τάση οδήγησης Gate-Source 10V. Η σχετικά χαμηλή αντίσταση αγωγής συμβάλλει στον περιορισμό των απωλειών ισχύος και της αύξησης της θερμοκρασίας κατά τη λειτουργία.

Η τάση κατωφλίου VGS(th) κυμαίνεται από 2V έως 4V. Η τιμή αυτή αντιστοιχεί μόνο στην έναρξη αγωγής του MOSFET και όχι στην πλήρη ενεργοποίησή του. Για εφαρμογές ισχύος απαιτείται κατάλληλο κύκλωμα οδήγησης της πύλης, συνήθως με τάση περίπου 10V.

Το εξάρτημα προσφέρει υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου, γρήγορη μεταγωγή και δυνατότητα λειτουργίας σε κυκλώματα υψηλής τάσης. Το περίβλημα TO-220AB επιτρέπει την εύκολη τοποθέτηση σε ψύκτρα για αποτελεσματικότερη απαγωγή της παραγόμενης θερμότητας.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για παλμοτροφοδοτικά SMPS, μετατροπείς DC/DC, κυκλώματα inverter, συστήματα UPS, ηλεκτρονικά ballast, τροφοδοτικά υψηλής τάσης, ελεγκτές κινητήρων και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ωμικών ή επαγωγικών φορτίων.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από την αντικατάσταση άλλου MOSFET πρέπει να ελέγχονται η μέγιστη τάση Drain-Source, το συνεχές και παλμικό ρεύμα Drain, η αντίσταση RDS(on), το φορτίο πύλης, η ταχύτητα μεταγωγής, η μέγιστη ισχύς απωλειών, το περίβλημα και η διάταξη των ακροδεκτών.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.