Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.999.0001

Toshiba2SK 1930

TRN FET
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 8,31 €
Το Toshiba 2SK1930 είναι MOSFET ισχύος N-Channel, υψηλής τάσης, κατάλληλο για εφαρμογές switching όπως chopper regulators, DC-DC converters και κυκλώματα οδήγησης κινητήρων. Διαθέτει τάση drain-source 1000V, συνεχές ρεύμα drain 4A και μέγιστη ισχύ απαγωγής 100W σε Tc=25°C. Η τυπική αντίσταση αγωγής RDS(on) είναι 3.0Ω με VGS=10V και ID=2A.

Βάρος συσκευασίας: 0,001kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,001kg
ΚατασκευαστήςToshiba
Κωδικός2SK1930
ΤύποςMOSFET ισχύος N-Channel
Συσκευασία / CaseToshiba 2-10S2B
Τύπος στήριξηςThrough-hole power package
Ακροδέκτες3 pins
Pinout1 Gate, 2 Drain / Heat Sink, 3 Source
ΤεχνολογίαSilicon N-Channel MOS, π-MOSII.5
Τάση drain-source VDSS1000V
Τάση drain-gate VDGR1000V
Τάση gate-source VGSS±20V
Συνεχές ρεύμα drain ID4A
Παλμικό ρεύμα drain IDP12A
Ισχύς απαγωγής PD100W σε Tc=25°C
RDS(on)3.0Ω typ., 3.8Ω max. σε VGS=10V, ID=2A
Gate threshold voltage Vth1.5V έως 3.5V
Forward transfer admittance |Yfs|2.0S typ.
Drain cut-off current IDSS300μA max. σε VDS=800V
Input capacitance Ciss700pF typ.
Reverse transfer capacitance Crss55pF typ.
Output capacitance Coss100pF typ.
Total gate charge Qg60nC typ.
Χρόνος ανόδου tr18ns typ.
Χρόνος turn-on ton30ns typ.
Χρόνος πτώσης tf12ns typ.
Χρόνος turn-off toff70ns typ.
Θερμοκρασία καναλιού Tchέως 150°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης-55°C έως +150°C
Θερμική αντίσταση channel-case Rth(ch-c)1.25°C/W max.
Συσκευασία datasheetToshiba 2-10S1B / 2-10S2B
Ακροδέκτες1 Gate, 2 Drain / Heat Sink, 3 Source
MarkingK1930
Εφαρμογέςchopper regulators, DC-DC converters, motor drive circuits
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
UserID/Email:
Κωδικός: