Silan SVT 20240NT - Silan SVT20240NT N-Channel MOSFET 200V 72A TO-220

Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.079.0001

SilanSVT 20240NT

Silan SVT20240NT N-Channel MOSFET 200V 72A TO-220
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 4,34 €
Το SVT20240NT της Silan Microelectronics είναι N-Channel Power MOSFET ισχύος, τεχνολογίας LVMOS, σε περίβλημα TO-220-3L για τοποθέτηση through-hole. Είναι κατάλληλο για εφαρμογές μεταγωγής ισχύος όπου απαιτείται υψηλό ρεύμα, χαμηλή αντίσταση αγωγής και αξιόπιστη λειτουργία σε κυκλώματα τροφοδοσίας και inverter. Το MOSFET διαθέτει τάση αποστράγγισης-πηγής 200V, συνεχές ρεύμα αποστράγγισης 72A στους TC = 25°C, παλμικό ρεύμα 288A και τυπική αντίσταση αγωγής 19,7mΩ με VGS = 10V και ID = 46A. Η έκδοση SVT20240NT σε TO-220-3L έχει μέγιστη ισχύ απαγωγής 263W και θερμική αντίσταση junction-to-case 0,57°C/W.
Για πλήρη χαρακτηριστικά, δείτε το αρχείο PDF.

Βάρος συσκευασίας: 0,006kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,001kg
ΚατασκευαστήςSilan Microelectronics
Κωδικός προϊόντοςSVT20240NT
ΟικογένειαSVT20240N
ΤύποςPower MOSFET
ΚανάλιN-Channel
ΤεχνολογίαLVMOS
ΠολικότηταEnhancement mode
ΠερίβλημαTO-220-3L
Τύπος τοποθέτησηςThrough-hole
Marking20240NT
Τάση αποστράγγισης-πηγής VDS200V
Τάση πύλης-πηγής VGS±30V
Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης ID72A στους TC = 25°C
Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης ID51A στους TC = 100°C
Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης IDM288A
Τυπική αντίσταση αγωγής RDS(on)19,7mΩ
Συνθήκες μέτρησης RDS(on)VGS = 10V, ID = 46A
Τάση κατωφλίου πύλης VGS(th)3V έως 5V
Συνολικό φορτίο πύλης Qg88nC typ.
Gate-source charge Qgs30nC typ.
Gate-drain charge Qgd33nC typ.
Χωρητικότητα εισόδου Ciss4434pF typ.
Χωρητικότητα εξόδου Coss459pF typ.
Reverse transfer capacitance Crss182pF typ.
Turn-on delay time td(on)28ns typ.
Rise time tr44ns typ.
Turn-off delay time td(off)48ns typ.
Fall time tf23ns typ.
Μέγιστη ισχύς απαγωγής PD263W στους TC = 25°C
Thermal resistance junction-to-case RθJC0,57°C/W
Thermal resistance junction-to-ambient RθJA62,5°C/W
Single pulsed avalanche energy EAS221mJ
Source-drain diode current IS72A
Source-drain diode pulsed current ISM288A
Diode forward voltage VSDέως 1,3V
Reverse recovery time trr105ns typ.
Reverse recovery charge Qrr0,44μC typ.
Θερμοκρασία λειτουργίας junction TJ-55°C έως +175°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης-55°C έως +175°C
Pinout1 Gate, 2 Drain, 3 Source
ΣυσκευασίαTube
Φυλλάδια
PDF datasheet
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
Σχετικά προϊόντα

STP 4N150
STP4N150 STMicroelectronics N-Channel MOSFET 1500V 4A TO-220
STP35N60DM2
STP35N60DM2 N-channel 600 V/28A, power MOSFET transistor TO220
SA 612AD
SA 612AD RF Mixer LP VHF DBL-BAL W/OSC, ολοκληρωμένο κύκλωμα
SPA08N80C3
SPA08N80C3 TRN N-MOSFET unipolar, 800V, 8A, 40W, PG-TO220-3-FP
SPW35N60CFD
SPW35N60CFD Transistor N-MOSFET unipolar, 600V, 21.6A, 313W
Tridimas Electronics
Ν. Πλαστήρα 257, Αγ. Ανάργυροι, Αττική
Καθημερινές: 08:00 - 17:00
Σάββατο: 08:00 - 15:00
210 2620250  |  info@tridimas.gr
Η εταιρία μας
Τα καταστήματά μας
Επικοινωνία
Όροι χρήσης
Όροι εγγύησης / επιστροφών
Δικαίωμα Υπαναχώρησης
Τρόποι Πληρωμής
Προστασία δεδομένων
UserID/Email:
Κωδικός: