RENESASRJP30H2A

RJP30H2A τρανζίστορ IGBT N-Channel 360V / 35A / 60W της Renesas σε συσκευασία TO-263 / D2PAK για εφαρμογές γρήγορης μεταγωγής ισχύος. Χρησιμοποιεί τεχνολογία trench gate και thin wafer G6H-II και συνδυάζει χαμηλή τάση κορεσμού Collector-Emitter με γρήγορα χαρακτηριστικά μεταγωγής.

Τεχνική περιγραφή

Το RJP30H2A είναι Silicon N-Channel IGBT για high-speed power switching. Η μέγιστη τάση Collector-Emitter VCES είναι 360V και το συνεχές ρεύμα Collector IC είναι 35A στους 25°C. Το μέγιστο παλμικό ρεύμα Collector φτάνει τα 250A υπό τις συνθήκες παλμού που καθορίζονται από τον κατασκευαστή.

Η τάση κορεσμού Collector-Emitter VCE(sat) είναι 1.4V τυπικά και 1.9V μέγιστα στα IC 35A και VGE 15V. Το συνολικό φορτίο Gate Qg είναι περίπου 37nC και το εξάρτημα είναι σχεδιασμένο για γρήγορη μεταγωγή με χαμηλό ρεύμα διαρροής.

Η συγκεκριμένη έκδοση είναι σε συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης TO-263-3, γνωστή επίσης ως D2PAK, κατάλληλη για εφαρμογές ισχύος σε PCB όπου απαιτείται αποτελεσματική θερμική διαχείριση.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για inverter, switching power supplies, κυκλώματα μεταγωγής ισχύος, ηλεκτρονικά ισχύος και επισκευές συσκευών όπου απαιτείται το RJP30H2A ή πλήρως συμβατό IGBT με αντίστοιχα ηλεκτρικά, θερμικά και δυναμικά χαρακτηριστικά.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνονται ο πλήρης κωδικός, το package TO-263, το pinout, η τάση Collector-Emitter, το ρεύμα Collector, η τάση οδήγησης Gate, το VCE(sat), οι χρόνοι μεταγωγής και οι θερμικές απαιτήσεις του κυκλώματος. Δεν πρέπει να επιλέγεται αντικατάσταση μόνο βάσει των τιμών τάσης και ρεύματος.

Συχνές ερωτήσεις

Τι είναι το RJP30H2A;
Το RJP30H2A είναι Silicon N-Channel IGBT της Renesas, σχεδιασμένο για εφαρμογές γρήγορης μεταγωγής ισχύος.

Ποια είναι η μέγιστη τάση του RJP30H2A;
Η μέγιστη τάση Collector-Emitter VCES είναι 360V.

Πόσο ρεύμα αντέχει το RJP30H2A;
Το συνεχές ρεύμα Collector IC είναι 35A στους 25°C, ενώ το παλμικό ρεύμα μπορεί να φτάσει τα 250A υπό τις καθορισμένες συνθήκες του datasheet.

Ποια είναι η μέγιστη ισχύς απαγωγής;
Η μέγιστη ισχύς απαγωγής Collector είναι 60W με θερμοκρασία case 25°C.

Το RJP30H2A είναι MOSFET;
Όχι. Είναι IGBT, δηλαδή Insulated-Gate Bipolar Transistor, σχεδιασμένο ειδικά για μεταγωγή ισχύος.

Τι package έχει το RJP30H2A;
Η συγκεκριμένη έκδοση είναι σε SMD package TO-263-3, γνωστό επίσης ως D2PAK.

Μπορεί να αντικατασταθεί από οποιοδήποτε IGBT 360V ή μεγαλύτερης τάσης;
Όχι απαραίτητα. Πρέπει να συμφωνούν το package, το pinout, το ρεύμα, το VCE(sat), η οδήγηση Gate, οι χρόνοι μεταγωγής και οι θερμικές απαιτήσεις του κυκλώματος.