RENESASRGP63K2

RJP63K2 τρανζίστορ IGBT N-Channel υψηλής τάσης για εφαρμογές γρήγορης μεταγωγής ισχύος. Η σειρά RJP63K2 της Renesas είναι σχεδιασμένη για high-speed power switching, με τάση Collector-Emitter έως 630V και ονομαστικό ρεύμα Collector έως 35A.

Τεχνική περιγραφή

Το RJP63K2 βασίζεται σε trench gate και thin wafer τεχνολογία της σειράς G6H-II. Παρουσιάζει χαμηλή τάση κορεσμού Collector-Emitter, με τυπική VCE(sat) 1.9V στα 35A και VGE 15V, καθώς και γρήγορη συμπεριφορά μεταγωγής.

Η μέγιστη τάση Collector-Emitter είναι 630V, η μέγιστη τάση Gate-Emitter είναι ±30V και το συνεχές ρεύμα Collector είναι 35A. Το μέγιστο παλμικό ρεύμα Collector φτάνει τα 200A υπό τις συνθήκες που καθορίζει το datasheet.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για κυκλώματα ισχύος υψηλής τάσης, inverter, switching power supplies, συστήματα ελέγχου ισχύος και επισκευές ηλεκτρονικών συσκευών όπου απαιτείται το συγκεκριμένο IGBT ή πλήρως συμβατό εξάρτημα.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνονται ο πλήρης κωδικός του εξαρτήματος, το package, το pinout, η τάση Collector-Emitter, το ρεύμα Collector, η τάση οδήγησης Gate και οι απαιτήσεις μεταγωγής του κυκλώματος. Οι διαφορετικές εκδόσεις της σειράς RJP63K2 μπορεί να χρησιμοποιούν διαφορετικό package.

Συχνές ερωτήσεις

Τι είναι το RJP63K2;
Είναι τρανζίστορ IGBT N-Channel υψηλής τάσης, σχεδιασμένο για εφαρμογές γρήγορης μεταγωγής ισχύος.

Ποια είναι η μέγιστη τάση του RJP63K2;
Η σειρά χαρακτηρίζεται για μέγιστη τάση Collector-Emitter 630V.

Πόσο ρεύμα μπορεί να διαχειριστεί;
Η επίσημη έκδοση RJP63K2DPK-M0 χαρακτηρίζεται για συνεχές ρεύμα Collector 35A στους 25°C και παλμικό ρεύμα έως 200A υπό συγκεκριμένες συνθήκες.

Είναι MOSFET;
Όχι. Είναι IGBT, δηλαδή Insulated-Gate Bipolar Transistor, σχεδιασμένο για μεταγωγή υψηλής τάσης και ισχύος.

Μπορεί να αντικατασταθεί από οποιοδήποτε IGBT 600V ή 650V;
Όχι απαραίτητα. Πρέπει να ελεγχθούν το pinout, το package, το ρεύμα, η τάση VCE(sat), τα switching characteristics και οι θερμικές απαιτήσεις του κυκλώματος.