MitsubishiRD06HVF1-501

Τρανζίστορ RF Power MOSFET 6W για εφαρμογές VHF έως 175MHz, σχεδιασμένο ειδικά για τελικά στάδια ενισχυτών υψηλής συχνότητας. Το Mitsubishi RD06HVF1-501 προσφέρει υψηλό κέρδος ισχύος και είναι κατάλληλο για πομπούς, ασυρμάτους και άλλες εφαρμογές ενίσχυσης RF στην περιοχή VHF.

Τεχνική περιγραφή

Το RD06HVF1 είναι silicon RF power MOSFET της Mitsubishi Electric, ειδικά σχεδιασμένο για ενισχυτές ισχύος VHF. Σε τυπικές συνθήκες λειτουργίας με VDD 12.5V και συχνότητα 175MHz μπορεί να αποδώσει ισχύ εξόδου μεγαλύτερη από 6W, με κέρδος ισχύος μεγαλύτερο από 13dB.

Η μέγιστη τάση drain-source είναι 50V, η μέγιστη τάση gate-source είναι ±20V και το μέγιστο drain current είναι 3A. Η μέγιστη απαγωγή ισχύος καναλιού στους 25°C είναι 27.8W.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Κατάλληλο για τελικά στάδια RF ενισχυτών, πομπούς VHF, φορητούς και κινητούς ασυρμάτους, amateur radio εφαρμογές και επισκευές εξοπλισμού RF όπου απαιτείται το συγκεκριμένο transistor ή ηλεκτρικά συμβατό εξάρτημα.

Σημείωση συμβατότητας

Πριν από την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνονται το pinout, η τάση λειτουργίας, η συχνότητα, η απαιτούμενη ισχύς RF και οι θερμικές συνθήκες του κυκλώματος. Το RD06HVF1 είναι RF power MOSFET και δεν πρέπει να επιλέγεται ως απλό MOSFET γενικής χρήσης μόνο βάσει τάσης ή ρεύματος.

Συχνές ερωτήσεις

Τι είναι το Mitsubishi RD06HVF1-501;
Είναι RF Power MOSFET πυριτίου σχεδιασμένο ειδικά για ενίσχυση ισχύος στην περιοχή VHF.

Πόση ισχύ μπορεί να αποδώσει;
Το datasheet καθορίζει ισχύ εξόδου μεγαλύτερη από 6W σε συχνότητα 175MHz με VDD 12.5V υπό τις καθορισμένες συνθήκες δοκιμής.

Σε ποια συχνότητα χρησιμοποιείται;
Το εξάρτημα χαρακτηρίζεται για εφαρμογές VHF και η βασική προδιαγραφή ισχύος του δίνεται στα 175MHz.

Μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε πομπούς VHF;
Ναι. Η βασική εφαρμογή που ορίζει ο κατασκευαστής είναι το τελικό στάδιο ενισχυτών υψηλής ισχύος σε φορητούς και κινητούς ασυρμάτους VHF.

Ποια είναι η μέγιστη τάση drain-source;
Η μέγιστη επιτρεπόμενη τάση VDS είναι 50V.

Είναι κατάλληλο ως γενικής χρήσης MOSFET;
Όχι ως άμεση γενική αντικατάσταση. Είναι εξειδικευμένο RF Power MOSFET και η επιλογή του πρέπει να γίνεται με βάση τις RF και ηλεκτρικές απαιτήσεις του κυκλώματος.