Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.023.0164

INFINEONIRLR 8726PBF

IRLR8726 N-Channel Logic Level MOSFET 30V 86A SMD DPAK Infineon
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 1,86 €

IRLR8726 N-Channel Logic Level Power MOSFET 30V 86A SMD DPAK της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για DC-DC converters, synchronous buck converters, battery systems, inverter, DC motor control και εφαρμογές μεταγωγής ισχύος χαμηλής τάσης.

Το IRLR8726 είναι N-Channel Power MOSFET της International Rectifier / Infineon, σε κέλυφος SMD DPAK / TO-252. Διαθέτει τάση Drain-Source 30V, συνεχές ρεύμα Drain έως 86A και πολύ χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 5.8mOhm max με VGS 10V. Ως logic-level MOSFET υποστηρίζει οδήγηση πύλης χαμηλότερης τάσης, με RDS(on) 8mOhm max στα 4.5V, καθιστώντας το κατάλληλο για κυκλώματα ελέγχου με 5V logic.

Τεχνική περιγραφή

Το IRLR8726 είναι σχεδιασμένο για εφαρμογές όπου απαιτείται χαμηλή αντίσταση αγωγής, υψηλή ικανότητα ρεύματος και γρήγορη μεταγωγή. Το SMD κέλυφος DPAK / TO-252 επιτρέπει τοποθέτηση σε επιφάνεια πλακέτας και αποτελεσματική θερμική απαγωγή μέσω κατάλληλου copper area στο PCB. Είναι κατάλληλο για synchronous rectification, DC-DC converters, load switching και εφαρμογές PWM χαμηλής τάσης.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε high frequency synchronous buck converters, isolated DC-DC converters, συστήματα διαχείρισης μπαταριών, DC motor control, inverter χαμηλής τάσης, τροφοδοτικά, ηλεκτρονικούς διακόπτες φορτίου, LED drivers, ρομποτικές εφαρμογές και κυκλώματα PWM ισχύος.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRLR8726 είναι SMD MOSFET σε κέλυφος DPAK / TO-252 και δεν είναι ίδιο μηχανικά με TO-220 MOSFET. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το footprint, η διάταξη ακροδεκτών, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), η οδήγηση πύλης και οι θερμικές απαιτήσεις της πλακέτας.

Βάρος: περίπου 0,001 kg.



Βάρος συσκευασίας: 0,001kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,001kg
ΚατασκευαστήςInternational Rectifier / Infineon
ΜοντέλοIRLR8726
Σχετικοί κωδικοίIRLR8726PBF / IRLR8726TRPBF
Τύπος προϊόντοςPower MOSFET
ΠολικότηταN-Channel
ΤεχνολογίαHEXFET / StrongIRFET
Logic level gate driveΝαι
Μέγιστη τάση Drain-Source VDS30V
Μέγιστο συνεχές ρεύμα Drain ID86A @ TC 25°C
Συνεχές ρεύμα Drain ID61A @ TC 100°C
Παλμικό ρεύμα Drain IDMέως 340A
RDS(on)5.8mOhm max @ VGS 10V
RDS(on)8.0mOhm max @ VGS 4.5V
Gate threshold voltage VGS(th)1.35V έως 2.35V
Τυπικό gate threshold voltage1.8V
Μέγιστη τάση Gate-Source VGS+/-20V
Total gate charge Qgπερίπου 15nC typ. @ VGS 4.5V
Gate-to-Drain charge Qgdπερίπου 5.7nC
Input capacitance Cissπερίπου 2150pF
Output capacitance Cossπερίπου 480pF
Reverse transfer capacitance Crssπερίπου 205pF
Body diode forward voltage VSDέως 1.0V
Reverse recovery time trrπερίπου 24ns typ., 36ns max
Μέγιστη ισχύς απαγωγής Ptot75W @ TC 25°C
Θερμική αντίσταση Junction-to-Case RthJCέως 2.0°C/W
Θερμοκρασία λειτουργίας-55°C έως +175°C
Μέγιστη θερμοκρασία junction175°C
ΚέλυφοςDPAK / TO-252
Τύπος τοποθέτησηςSMD / Surface Mount
ΑκροδέκτεςGate, Drain, Source
Moisture Sensitivity LevelMSL 1
RoHS compliant
Κατάλληλο για DC-DC converters, synchronous rectification, battery systems, inverter και load switching
Δεν είναι TO-220 εξάρτημα
Για υψηλά ρεύματα απαιτείται σωστό θερμικό PCB layout
Ενδεικτικό βάροςπερίπου 0,001 kg
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
Σχετικά προϊόντα
Σχετικά προϊόντα
UserID/Email:
Κωδικός: