INFINEONIRL 2203NPBF

IRL2203N N-Channel Logic Level HEXFET Power MOSFET 30V 116A TO-220 της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για εφαρμογές ισχύος χαμηλής τάσης, DC motor control, PWM switching, load switching, τροφοδοτικά και ηλεκτρονικές κατασκευές.

Το IRL2203N είναι N-Channel Power MOSFET τεχνολογίας HEXFET της International Rectifier, πλέον Infineon, σε κέλυφος TO-220AB / TO-220. Διαθέτει μέγιστη τάση Drain-Source 30V, συνεχές ρεύμα Drain έως 116A και πολύ χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 7mOhm max με VGS 10V. Ως logic-level MOSFET μπορεί να οδηγηθεί και με χαμηλότερη τάση πύλης, με RDS(on) 10mOhm max στα 4.5V.

Τεχνική περιγραφή

Το IRL2203N είναι σχεδιασμένο για κυκλώματα όπου απαιτείται χαμηλή αντίσταση αγωγής, υψηλό ρεύμα και γρήγορη μεταγωγή. Το TO-220 κέλυφος επιτρέπει εύκολη τοποθέτηση σε πλακέτα και χρήση ψύκτρας σε εφαρμογές ισχύος. Η logic-level πύλη το καθιστά κατάλληλο για εφαρμογές με μικροελεγκτές, PWM έλεγχο και ηλεκτρονικούς διακόπτες DC φορτίων, εφόσον τηρούνται τα θερμικά και ηλεκτρικά όρια του κυκλώματος.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε DC motor control, PWM drivers, LED dimmers, ηλεκτρονικούς διακόπτες φορτίου, τροφοδοτικά, μετατροπείς DC-DC, κυκλώματα μπαταριών, ρομποτικές εφαρμογές, αυτοματισμούς και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος χαμηλής τάσης.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRL2203N είναι logic-level MOSFET και είναι καταλληλότερο για οδήγηση από 5V logic σε σχέση με μη logic-level MOSFET. Για οδήγηση από 3.3V ή για μεγάλα ρεύματα πρέπει να ελέγχονται οι απώλειες αγωγής, η θερμοκρασία, η πραγματική τάση VGS και η ψύξη. Δεν είναι κατάλληλο για κυκλώματα πάνω από το όριο VDS των 30V.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.