Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.003.1519

INFINEONIRGIB 10B60KD1

IRGIB10B60KD1 IGBT 600V 10A TO-220F FullPak Infineon
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 4,95 €

IRGIB10B60KD1 N-Channel IGBT 600V 10A TO-220F FullPak της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για motor control, inverter, τροφοδοτικά ισχύος, βιομηχανικούς αυτοματισμούς και εφαρμογές μεταγωγής υψηλής τάσης.

Το IRGIB10B60KD1 είναι IGBT ισχύος με ενσωματωμένη ultrafast soft recovery δίοδο, αρχικά της International Rectifier και πλέον της Infineon. Διαθέτει τάση Collector-Emitter 600V, συνεχές ρεύμα Collector 10A στους 100°C και 16A στους 25°C, καθώς και χαμηλή τάση κορεσμού VCE(on) τυπικά 1.7V. Το πλήρως μονωμένο κέλυφος TO-220 FullPak / TO-220F προσφέρει ηλεκτρική μόνωση από την ψύκτρα, διευκολύνοντας την τοποθέτηση σε εφαρμογές ισχύος.

Τεχνική περιγραφή

Το IRGIB10B60KD1 χρησιμοποιεί Non Punch Through IGBT τεχνολογία με θετικό θερμικό συντελεστή VCE(on), χαρακτηριστικό που βοηθά στη σταθερότερη λειτουργία και στον καλύτερο διαμοιρασμό ρεύματος σε παράλληλες εφαρμογές. Η ενσωματωμένη δίοδος ultrafast soft recovery μειώνει τις απώλειες και το EMI σε κυκλώματα μεταγωγής. Το εξάρτημα διαθέτει short circuit capability άνω των 10us και Square RBSOA, κατάλληλο για απαιτητικές εφαρμογές ελέγχου ισχύος.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε έλεγχο κινητήρων, inverter, soft switching converters, βιομηχανικά τροφοδοτικά, UPS, συστήματα θέρμανσης, κυκλώματα PWM υψηλής τάσης, power switching, αυτοματισμούς και εφαρμογές όπου απαιτείται IGBT 600V με ενσωματωμένη γρήγορη δίοδο.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRGIB10B60KD1 είναι IGBT και όχι MOSFET. Η οδήγηση της πύλης γίνεται συνήθως με VGE 15V σε εφαρμογές ισχύος. Πριν από αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το κέλυφος TO-220F / FullPak, η διάταξη ακροδεκτών Gate, Collector, Emitter, η τάση VCES, το ρεύμα Collector, η ύπαρξη ενσωματωμένης διόδου και οι θερμικές απαιτήσεις του κυκλώματος.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.



Βάρος συσκευασίας: 0,002kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,002kg
ΚατασκευαστήςInternational Rectifier / Infineon
ΜοντέλοIRGIB10B60KD1
Σχετικός κωδικόςIRGIB10B60KD1P
Τύπος προϊόντοςIGBT ισχύος
Πολικότητα / τύποςN-Channel IGBT
Ενσωματωμένη δίοδοςUltrafast soft recovery diode
ΤεχνολογίαLow VCE(on) Non Punch Through IGBT
Μέγιστη τάση Collector-Emitter VCES600V
Συνεχές ρεύμα Collector IC16A @ TC 25°C
Συνεχές ρεύμα Collector IC10A @ TC 100°C
Παλμικό ρεύμα Collector ICMέως 32A
Clamped inductive load current ILMέως 32A
Συνεχές ρεύμα διόδου IF16A @ TC 25°C
Συνεχές ρεύμα διόδου IF10A @ TC 100°C
Μέγιστο ρεύμα διόδου IFM32A
VCE(on)1.7V typ., 2.10V max @ IC 10A, VGE 15V, TJ 25°C
VCE(on)2.05V typ., 2.35V max @ IC 10A, VGE 15V, TJ 150°C
Gate threshold voltage VGE(th)3.5V έως 5.5V
Μέγιστη τάση Gate-Emitter VGE+/-20V
Forward transconductance gfeπερίπου 5.0S
Diode forward voltage VFM1.80V typ., 2.40V max @ IF 5A, TJ 25°C
Total gate charge Qg41nC typ., 62nC max
Gate-to-Emitter charge Qge4.6nC typ., 6.9nC max
Gate-to-Collector charge Qgc19nC typ., 29nC max
Turn-on switching loss Eonπερίπου 156uJ typ.
Turn-off switching loss Eoffπερίπου 165uJ typ.
Total switching loss Etotπερίπου 321uJ typ.
Turn-on delay time td(on)περίπου 25ns typ.
Rise time trπερίπου 24ns typ.
Turn-off delay time td(off)περίπου 180ns typ.
Fall time tfπερίπου 62ns typ.
Input capacitance Ciesπερίπου 610pF typ.
Output capacitance Coesπερίπου 66pF typ.
Reverse transfer capacitance Cresπερίπου 23pF typ.
Diode reverse recovery time trrπερίπου 79ns typ.
Diode reverse recovery charge Qrrπερίπου 553nC typ.
Short circuit capabilityμεγαλύτερη από 10us @ TJ 150°C
Reverse Bias Safe Operating AreaFull Square RBSOA
RMS isolation voltage terminal-to-case2500V
Power dissipation PD44W @ TC 25°C
Power dissipation PD22W @ TC 100°C
Θερμική αντίσταση Junction-to-Case IGBTέως 3.4°C/W
Θερμική αντίσταση Junction-to-Case diodeέως 5.3°C/W
Θερμική αντίσταση Junction-to-Ambientέως 62°C/W
Θερμοκρασία λειτουργίας junction-55°C έως +175°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης-55°C έως +175°C
ΚέλυφοςTO-220 FullPak / TO-220F
Τύπος κελύφουςπλήρως μονωμένο / fully insulated
Τύπος τοποθέτησηςTHT / Through Hole
ΑκροδέκτεςGate, Collector, Emitter
Δεν είναι SMD εξάρτημα
Δεν είναι MOSFET
Κατάλληλο για motor control, inverter, UPS, SMPS και power switching
Για σωστή λειτουργία απαιτείται κατάλληλος IGBT gate driver
Ενδεικτικό βάροςπερίπου 0,002 kg
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
UserID/Email:
Κωδικός: