INFINEONIRFZ 48N Infineon

IRFZ48N N-Channel HEXFET Power MOSFET 55V 64A TO-220 της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για κυκλώματα ισχύος, διακοπτικές εφαρμογές, DC φορτία, τροφοδοτικά, inverter, φωτισμό και έλεγχο κινητήρων.

Το IRFZ48N είναι N-channel power MOSFET τεχνολογίας HEXFET, αρχικά της International Rectifier και πλέον διαθέσιμο μέσω Infineon. Διαθέτει τάση Drain-Source 55V, συνεχές ρεύμα Drain έως 64A και χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 14mΩ max με οδήγηση πύλης 10V. Το κέλυφος TO-220AB προσφέρει εύκολη τοποθέτηση σε PCB και δυνατότητα χρήσης ψύκτρας σε εφαρμογές μεγαλύτερης ισχύος.

Τεχνική περιγραφή

Το IRFZ48N είναι κατάλληλο για χρήση ως διακόπτης ισχύος σε DC εφαρμογές, μετατροπείς, SMPS, ελεγκτές κινητήρων, συστήματα φωτισμού και κυκλώματα φόρτισης ή διαχείρισης μπαταριών. Η χαμηλή RDS(on) μειώνει τις απώλειες αγωγής, ενώ η τεχνολογία HEXFET προσφέρει γρήγορη μεταγωγή και αξιόπιστη λειτουργία σε βιομηχανικές και ηλεκτρονικές εφαρμογές.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε DC motor control, inverter, switching power supplies, LED drivers, load switches, battery powered circuits, automotive auxiliary circuits, ρομποτικές εφαρμογές, κυκλώματα PWM και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος χαμηλής τάσης.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRFZ48N δεν είναι logic-level MOSFET. Παρότι το gate threshold voltage είναι περίπου 2-4V, η χαμηλή RDS(on) προδιαγράφεται με VGS 10V. Για οδήγηση από μικροελεγκτές 3.3V ή 5V, ειδικά σε μεγάλα ρεύματα, συνιστάται κατάλληλος gate driver ή επιλογή logic-level MOSFET.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.