INFINEONIRFB 3306GPBF

IRFB3306GPBF N-Channel HEXFET Power MOSFET 60V 160A TO-220 της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για εφαρμογές ισχύος, synchronous rectification, SMPS, UPS, DC-DC converters, inverter και high speed power switching.

Το IRFB3306GPBF είναι N-Channel Power MOSFET τεχνολογίας HEXFET της International Rectifier, πλέον Infineon, σε κέλυφος TO-220AB. Διαθέτει μέγιστη τάση Drain-Source 60V, συνεχές ρεύμα Drain έως 160A με περιορισμό silicon και 120A με περιορισμό κελύφους, καθώς και πολύ χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 4.2mOhm max με VGS 10V. Είναι σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης όπου απαιτούνται χαμηλές απώλειες αγωγής και γρήγορη μεταγωγή.

Τεχνική περιγραφή

Το IRFB3306GPBF είναι κατάλληλο για κυκλώματα ισχύος χαμηλής τάσης, όπως high efficiency synchronous rectification, τροφοδοτικά SMPS, UPS, DC-DC converters και ηλεκτρονικούς διακόπτες φορτίου. Η χαμηλή RDS(on) συμβάλλει στη μείωση των απωλειών ισχύος, ενώ το κέλυφος TO-220AB επιτρέπει εύκολη τοποθέτηση σε πλακέτα και χρήση ψύκτρας σε εφαρμογές με αυξημένες θερμικές απαιτήσεις.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε high efficiency synchronous rectification, switching power supplies, uninterruptible power supplies, high speed power switching, hard switched converters, high frequency circuits, DC-DC converters, inverter, battery systems, PWM drivers, DC motor control και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRFB3306GPBF δεν είναι logic-level MOSFET. Για χαμηλή RDS(on) και πλήρη αγωγή απαιτείται συνήθως οδήγηση πύλης περίπου 10V. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να ελέγχεται η τάση VDS, το ρεύμα, η RDS(on), το κέλυφος TO-220AB, η διάταξη ακροδεκτών και οι θερμικές απαιτήσεις της εφαρμογής.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.