INFINEONIRFB 3207PBF

Το Infineon IRFB3207PBF είναι MOSFET ισχύος N-Channel 75V σε θήκη TO-220AB, με μέγιστη ισχύ απαγωγής 330W και χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) έως 4.5mΩ, κατάλληλο για τροφοδοτικά, DC-DC μετατροπείς, UPS, κυκλώματα ισχύος και εφαρμογές γρήγορης μεταγωγής.

Το IRFB3207PBF ανήκει στην οικογένεια HEXFET Power MOSFET της International Rectifier / Infineon και προορίζεται για εφαρμογές όπου απαιτείται χαμηλή απώλεια αγωγής, υψηλό ρεύμα μεταγωγής και αξιόπιστη λειτουργία σε κυκλώματα συνεχούς ρεύματος. Η χαμηλή τιμή RDS(on) ισχύει με κατάλληλη οδήγηση πύλης, τυπικά VGS 10V.

Τεχνική περιγραφή
Το IRFB3207PBF διαθέτει τάση drain-source 75V, RDS(on) 3.6mΩ τυπικό και 4.5mΩ μέγιστο, μέγιστη τάση gate-source ±20V και θερμοκρασία λειτουργίας junction από -55°C έως +175°C. Το datasheet αναφέρει ρεύμα ID 170A, αλλά σημειώνει ότι το package limitation current είναι 75A.

Ενδεικτικές εφαρμογές
Κατάλληλο για SMPS, UPS, DC-DC converters, synchronous rectification, motor drives, hard-switched κυκλώματα, high-speed power switching, συστήματα μπαταριών και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος DC.

Σημείωση συμβατότητας
Πριν την αντικατάσταση πρέπει να ελέγχεται η τάση VDS, το RDS(on), το gate charge, το pinout, η θήκη TO-220AB, η απαίτηση ψύξης και το πραγματικό ρεύμα λειτουργίας του κυκλώματος. Το μέγιστο συνεχές ρεύμα στην πράξη περιορίζεται από τη θερμοκρασία, την ψύκτρα, το PCB, τις συνδέσεις και τις συνθήκες λειτουργίας.

Βάρος συσκευασίας: 0,002kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,002kg