INFINEONIRF 530

Infineon IRF530NPbF / IRF530N N-Channel HEXFET Power MOSFET 100V 17A TO-220AB, κατάλληλο για τροφοδοτικά switching, DC-DC converters, οδηγούς φορτίων, κυκλώματα PWM, βιομηχανικά ηλεκτρονικά και γενικές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος.

Το IRF530 της Infineon είναι N-Channel HEXFET Power MOSFET σε κέλυφος TO-220AB. Διαθέτει τάση Drain-Source 100V, συνεχές ρεύμα Drain 17A στους 25°C και χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 90mOhm max με οδήγηση πύλης 10V. Η τεχνολογία HEXFET προσφέρει γρήγορη μεταγωγή, αντοχή avalanche και αξιόπιστη λειτουργία σε εφαρμογές ισχύος.

Τεχνική περιγραφή

Το IRF530NPbF είναι MOSFET ισχύος για εφαρμογές μεταγωγής με δυναμική αντοχή dv/dt, fast switching και πλήρη avalanche rating. Το κέλυφος TO-220AB επιτρέπει τοποθέτηση σε ψύκτρα για καλύτερη θερμική απαγωγή, ενώ η διάταξη ακροδεκτών είναι Gate, Drain, Source, με το μεταλλικό tab συνδεδεμένο στο Drain.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε switching power supplies, DC-DC converters, κυκλώματα PWM, οδηγούς μοτέρ και φορτίων, βιομηχανικά ηλεκτρονικά, μετατροπείς τάσης, ηλεκτρονικά ισχύος και εφαρμογές όπου απαιτείται N-Channel MOSFET 100V σε κέλυφος TO-220.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRF530 είναι N-Channel MOSFET και δεν είναι IGBT, TRIAC ή θυρίστορ. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται το κέλυφος TO-220AB, η διάταξη ακροδεκτών, η τάση VDS, το ρεύμα ID, η RDS(on), το gate charge και οι θερμικές απαιτήσεις της εφαρμογής. Δεν είναι logic-level MOSFET, επομένως για πλήρη αγωγή απαιτείται κατάλληλη οδήγηση πύλης, συνήθως 10V.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.