INFINEON BUP 213 IGBT - Siemens Infineon BUP213 IGBT TO-220AB 1200V 32A 200W

Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.008.0146

INFINEONBUP 213 IGBT

Siemens Infineon BUP213 IGBT TO-220AB 1200V 32A 200W
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 7,44 €
Το BUP213 είναι IGBT ισχύος υψηλής τάσης σε συσκευασία TO-220AB, κατάλληλο για εφαρμογές γρήγορης μεταγωγής, κυκλώματα ισχύος και TV horizontal line deflection. Διαθέτει τάση collector-emitter 1200V, ρεύμα collector έως 32A, παλμικό ρεύμα έως 64A και ισχύ απαγωγής 200W στους 25°C. Χαρακτηρίζεται από χαμηλή πτώση τάσης αγωγής, υψηλή ταχύτητα switching, χαμηλό tail current και avalanche rated λειτουργία.
Για πλήρη χαρακτηριστικά, δείτε το αρχείο PDF.

Βάρος συσκευασίας: 0,006kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,001kg
ΚατασκευαστήςSiemens / Infineon Technologies
ΚωδικόςBUP213
ΤύποςIGBT ισχύος
ΔιαμόρφωσηSingle IGBT
Συσκευασία / CaseTO-220AB / TO-220-3
Τύπος στήριξηςThrough Hole
Τάση collector-emitter VCE1200V
Τάση collector-gate VCGR1200V με RGE=20kΩ
Τάση gate-emitter VGE±20V
Συνεχές ρεύμα collector IC32A max. σε Tc=25°C
Συνεχές ρεύμα collector IC20A max. σε Tc=90°C
Παλμικό ρεύμα collector ICpuls64A max. σε Tc=25°C, tp=1ms
Παλμικό ρεύμα collector ICpuls40A max. σε Tc=90°C, tp=1ms
Ισχύς απαγωγής Ptot200W σε Tc=25°C
Gate threshold voltage VGE(th)4.5V έως 6.5V
VCE(sat)3.2V max. σε VGE=15V, IC=15A
Zero gate voltage collector current ICES0.8mA max. σε VCE=1200V
Gate-emitter leakage current IGES100nA max. σε VGE=25V
Transconductance gfs12S typ.
Input capacitance Ciss1000pF typ., 1350pF max.
Output capacitance Coss150pF typ., 225pF max.
Reverse transfer capacitance Crss70pF typ., 100pF max.
Turn-on delay time td(on)70ns typ., 100ns max.
Rise time tr45ns typ., 70ns max.
Turn-off delay time td(off)400ns typ., 530ns max.
Fall time tf70ns typ., 95ns max.
Avalanche energy EAS22mJ
Θερμική αντίσταση junction-case RthJC0.63K/W max.
Θερμοκρασία λειτουργίας / junction Tj-55°C έως +150°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης Tstg-55°C έως +150°C
Pinout1 Gate, 2 Collector, 3 Emitter
Εφαρμογέςswitching power circuits, resonant circuits, TV horizontal line deflection
Φυλλάδια
PDF datasheet
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
Σχετικά προϊόντα

BU 2532A
BU 2532A Silicon diffused power transistor
BU 323A
BU 323A S-N-Darl S-L 500V 10A
BU 508AF PH
BU 508AF PH 1500v-8a-125w
BU 2520AF
BU 2520AF Silicon diffused power transistor
Tridimas Electronics
Ν. Πλαστήρα 257, Αγ. Ανάργυροι, Αττική
Καθημερινές: 08:00 - 17:00
Σάββατο: 08:00 - 15:00
210 2620250  |  info@tridimas.gr
Η εταιρία μας
Τα καταστήματά μας
Επικοινωνία
Όροι χρήσης
Όροι εγγύησης / επιστροφών
Δικαίωμα Υπαναχώρησης
Τρόποι Πληρωμής
Προστασία δεδομένων
UserID/Email:
Κωδικός: