Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 806.020.0064

VishayST 180S16POV

ST180S16P0V Thyristor SCR Ισχύος 1600V 200A Stud TO-93
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 136,40 €

ST180S16P0V phase control thyristor SCR ισχύος 1600V 200A τύπου stud TO-93, κατάλληλο για βιομηχανικούς ανορθωτές, ελεγχόμενα τροφοδοτικά DC, ρυθμιστές ισχύος AC, DC motor controls και εφαρμογές phase control υψηλού ρεύματος.

Το ST180S16P0V είναι βιομηχανικό thyristor / SCR ισχύος της σειράς ST180S, σε περίβλημα stud-mount TO-209AB / TO-93. Διαθέτει μέσο ρεύμα αγωγής IT(AV) 200A, RMS ρεύμα IT(RMS) 314A και μέγιστη επαναλαμβανόμενη τάση VDRM/VRRM 1600V για τον κωδικό τάσης 16. Το μεταλλικό hermetic σώμα με κεραμικό μονωτήρα και η compression bonded κατασκευή το καθιστούν κατάλληλο για βαριές βιομηχανικές εφαρμογές και έντονη θερμική καταπόνηση.

Τεχνική περιγραφή

Το ST180S16P0V είναι phase control thyristor τύπου stud, σχεδιασμένο για έλεγχο ισχύος σε χαμηλές συχνότητες, κυρίως κοντά στη συχνότητα δικτύου. Διαθέτει center amplifying gate, υψηλή ικανότητα παλμικού ρεύματος, δυνατότητα ελεγχόμενης αγωγής σε ανορθωτικές και ρυθμιστικές διατάξεις και κέλυφος βίδας για ισχυρή μηχανική και θερμική σύζευξη σε ψύκτρα.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε DC motor controls, controlled DC power supplies, AC controllers, βιομηχανικούς ανορθωτές, φορτιστές μεγάλης ισχύος, ηλεκτροσυγκολλήσεις, ρυθμιστές ισχύος, συστήματα ελέγχου θερμαντικών φορτίων και γενικές εφαρμογές ελεγχόμενης ανόρθωσης με SCR.

Σημείωση συμβατότητας

Το ST180S16P0V είναι thyristor / SCR και δεν είναι diode, TRIAC, IGBT ή MOSFET. Πριν την αντικατάσταση πρέπει να επιβεβαιώνεται ο ακριβής κωδικός, η τάση 1600V, το ρεύμα 200A, η πολικότητα stud, ο τύπος gate / auxiliary cathode leads, το σπείρωμα, η ψύξη, η ροπή σύσφιξης και το κύκλωμα οδήγησης πύλης. Το γράμμα V στο σώμα και ο κεραμικός δακτύλιος πρέπει να ελεγχθούν με τη φυσική κατασκευή και το datasheet της συγκεκριμένης έκδοσης.

Βάρος: περίπου 0,280 kg.



Βάρος συσκευασίας: 0,280kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,280kg
ΚατασκευαστήςVishay semiconductors
Σχετική σημερινή σειράVS-ST180S, ανάλογα με την έκδοση
ΜοντέλοST180S16P0V
Σωστή γραφή κωδικούST180S16P0V με μηδέν μετά το P
ΣειράST180S
Τύπος προϊόντοςPhase control thyristor / SCR ισχύος
Τύπος περιβλήματοςstud-mount / βιδωτό
Case styleTO-209AB / TO-93
ConfigurationSingle SCR
Κωδικός τάσης16
Maximum repetitive peak off-state voltage VDRM1600V
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM1600V
Maximum non-repetitive peak voltage VRSM1700V
Maximum average on-state current IT(AV)200A
Συνθήκη IT(AV)180° conduction, half sine wave, TC 85°C
Maximum RMS on-state current IT(RMS)314A
Συνθήκη IT(RMS)DC, TC 76°C
Maximum peak one-cycle non-repetitive surge current ITSM5000A @ 50Hz, 10ms, no voltage reapplied
Maximum peak one-cycle non-repetitive surge current ITSM5230A @ 60Hz, 8.3ms, no voltage reapplied
Surge current με 100% VRRM reapplied4200A @ 50Hz, 10ms
Surge current με 100% VRRM reapplied4400A @ 60Hz, 8.3ms
Maximum I2t for fusing125kA2s @ 50Hz, 10ms, no voltage reapplied
Maximum I2t for fusing114kA2s @ 60Hz, 8.3ms, no voltage reapplied
Maximum on-state voltage VTM1.75V @ Ipk 570A, Tj 125°C
Low level threshold voltage VT(TO)1περίπου 1.08V
High level threshold voltage VT(TO)2περίπου 1.14V
Low level on-state slope resistance rt1περίπου 1.18mOhm
High level on-state slope resistance rt2περίπου 1.14mOhm
Maximum holding current IH600mA
Latching current IL1000mA max, 300mA typ.
Maximum critical rate of rise of off-state voltage dV/dt500V/us
Maximum non-repetitive rate of rise of turned-on current di/dt1000A/us
Typical delay time tdπερίπου 1.0us
Typical turn-off time tqπερίπου 100us
Maximum peak gate power PGM10W
Maximum average gate power PG(AV)2.0W
Maximum peak positive gate current IGM3.0A
Maximum peak positive gate voltage +VGM20V
Maximum peak negative gate voltage -VGM5.0V
Gate trigger current IGT150mA max @ Tj 25°C
Gate trigger current IGTπερίπου 90mA typ. @ Tj 25°C
Gate trigger voltage VGT3.0V max @ Tj 25°C
Gate trigger voltage VGTπερίπου 1.8V typ. @ Tj 25°C
Gate current not to trigger IGD10mA
Gate voltage not to trigger VGD0.25V
Operating junction temperature Tj-40°C έως +125°C
Storage temperature Tstg-40°C έως +150°C
Thermal resistance junction-to-case RthJC0.105K/W, DC operation
Thermal resistance case-to-heatsink RthCS0.04K/W, λεία/επίπεδη/γρασαρισμένη επιφάνεια
Mounting torque non-lubricated threads31Nm
Mounting torque lubricated threads24.5Nm
Approximate weight280g
Κατασκευήhermetic metal case με ceramic insulator
Gatecenter amplifying gate
Encapsulationcompression bonded για heavy duty λειτουργία
Κατάλληλο για έντονη θερμική καταπόνηση και thermal cycling
Τυπικές εφαρμογέςDC motor controls
Τυπικές εφαρμογέςcontrolled DC power supplies
Τυπικές εφαρμογέςAC controllers
Δεν είναι diode
Δεν είναι TRIAC
Δεν είναι IGBT ή MOSFET
Απαιτείται σωστή ψύξη και σωστή ροπή σύσφιξης στο stud
Απαιτείται σωστό κύκλωμα οδήγησης gate
Ενδεικτικό βάροςπερίπου 0,280 kg
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
UserID/Email:
Κωδικός: