Κάντε κλικ για μεγέθυνση

Κωδικός: 801.023.0169

INFINEONIRLZ 34N

IRLZ34N Logic Level N-Channel MOSFET 55V 30A TO-220 Infineon
Για να δείτε τις τιμές αγοράς πρέπει να είστε εγγεγραμμένος χρήστης!
Ενδεικτική λιανική τιμή με ΦΠΑ 24%: 0,65 €

IRLZ34N N-Channel Logic Level Power MOSFET 55V 30A TO-220 της International Rectifier / Infineon, κατάλληλο για διακοπτικές εφαρμογές ισχύος, PWM control, DC φορτία, LED drivers, τροφοδοτικά και έλεγχο κινητήρων.

Το IRLZ34N είναι N-Channel Power MOSFET τεχνολογίας HEXFET / IR MOSFET, αρχικά της International Rectifier και πλέον της Infineon. Διαθέτει τάση Drain-Source 55V, συνεχές ρεύμα Drain έως 30A και χαμηλή αντίσταση αγωγής RDS(on) 35mOhm max με VGS 10V. Ως logic-level MOSFET μπορεί να οδηγηθεί από χαμηλότερη τάση πύλης σε σχέση με κλασικά MOSFET, με RDS(on) 60mOhm max στα 4.5V.

Τεχνική περιγραφή

Το IRLZ34N είναι κατάλληλο για χρήση ως ηλεκτρονικός διακόπτης σε κυκλώματα χαμηλής τάσης DC. Το κέλυφος TO-220 επιτρέπει εύκολη τοποθέτηση σε πλακέτα και χρήση ψύκτρας όταν απαιτείται απαγωγή θερμότητας. Η logic-level πύλη το καθιστά χρήσιμο σε εφαρμογές με Arduino, μικροελεγκτές, PWM οδήγηση και έλεγχο φορτίων DC.

Ενδεικτικές εφαρμογές

Χρησιμοποιείται σε DC motor control, LED dimmers, PWM switching, load switches, battery powered circuits, ρομποτικές εφαρμογές, αυτοματισμούς, τροφοδοτικά, μικρούς μετατροπείς ισχύος και γενικές εφαρμογές μεταγωγής φορτίων DC.

Σημείωση συμβατότητας

Το IRLZ34N είναι logic-level MOSFET και είναι κατάλληλο για οδήγηση από λογική 5V. Για οδήγηση από 3.3V ή για μεγάλα ρεύματα πρέπει να ελέγχονται οι απώλειες αγωγής, η θερμοκρασία και η πραγματική τάση VGS. Σε εφαρμογές ισχύος συνιστάται σωστή οδήγηση πύλης και κατάλληλη ψύξη.

Βάρος: περίπου 0,002 kg.



Βάρος συσκευασίας: 0,002kg
Ογκομετρικό συσκευασίας: 0,002kg
ΚατασκευαστήςInternational Rectifier / Infineon
ΜοντέλοIRLZ34N
Προτεινόμενος κωδικός παραγγελίαςIRLZ34NPBF
Τύπος προϊόντοςPower MOSFET
ΠολικότηταN-Channel
ΤεχνολογίαHEXFET / IR MOSFET
Logic level gate driveΝαι
Μέγιστη τάση Drain-Source VDS55V
Μέγιστο συνεχές ρεύμα Drain ID30A @ TC 25°C
RDS(on)35mOhm max @ VGS 10V
RDS(on)60mOhm max @ VGS 4.5V
Gate threshold voltage VGS(th)1V έως 2V
Τυπικό gate threshold voltage1.5V
Μέγιστη τάση Gate-Source VGS+/-16V
Total gate charge Qgπερίπου 16.7nC @ 4.5V
Gate-to-Drain charge Qgdπερίπου 9.3nC
Μέγιστη ισχύς απαγωγής Ptot56W
Θερμική αντίσταση Junction-to-Case RthJCπερίπου 2.7K/W
Θερμοκρασία λειτουργίας-55°C έως +175°C
Μέγιστη θερμοκρασία junction175°C
ΚέλυφοςTO-220 / TO-220AB
Τύπος τοποθέτησηςTHT / Through Hole
ΑκροδέκτεςGate, Drain, Source
Κατάλληλο για χρήση με ψύκτρα σε εφαρμογές ισχύος
RoHS compliant
Κατάλληλο για Arduino, μικροελεγκτές, PWM, DC motor control, LED drivers και load switching
Πιο κατάλληλο για οδήγηση 5V logic σε σχέση με μη logic-level MOSFET
Για 3.3V logic ή μεγάλα ρεύματα απαιτείται έλεγχος θερμικών απωλειών
Ενδεικτικό βάροςπερίπου 0,002 kg
Φυλλάδια
Όροι εγγύησης / επιστροφών προϊόντων
Σχετικά προϊόντα
Σχετικά προϊόντα
UserID/Email:
Κωδικός: